[发明专利]利用热丝增强等离子体磁控溅射法制备铁磁非晶膜的方法在审
| 申请号： | 201910942636.0 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110527969A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈雪娇;周艳文;李金龙;赵卓;郭媛媛;张开策;滕越;张晶;杨永杰;黄振;方方;张豫坤 | 申请（专利权）人： | 辽宁科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02 |
| 代理公司： | 21224 鞍山嘉讯科技专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐喆<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 114051 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及利用热丝增强等离子体磁控溅射法制备铁磁非晶膜的方法，包括以下步骤：1)镀膜前清洗：将基体置于等离子体增强磁控溅射设备的腔体内，抽真空；加热除水蒸汽；清洗靶；2)镀膜：热丝增强等离子体磁控溅射设备的腔体四周缠绕4根灯丝，腔体四壁分别设置矩形靶材，其中一块以上靶材为非晶铁磁薄带；腔体内通入氩气，氩气；打开挡板，开始溅射；镀膜时腔体内的温度为25℃～100℃。本发明将磁控溅射技术应用于制备铁磁非晶膜领域；通过调节加在灯丝上的偏压来提高氩气的离化率及氩离子的轰击速度，进一步提高了膜基结合强度和薄膜的致密性。磁控溅射离子轰击基体，活化基体表面，提高膜层与基体表面之间的结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 氩气 镀膜 铁磁 等离子体 磁控溅射设备 磁控溅射 基体表面 体内 非晶膜 灯丝 腔体 热丝 清洗 磁控溅射技术 等离子体增强 挡板 离子轰击 抽真空 结合力 矩形靶 水蒸汽 致密性 氩离子 靶材 薄带 非晶 活化 溅射 离化 膜层 膜基 四壁 制备 薄膜 轰击 加热 缠绕 应用 | ||
【主权项】：
1.利用热丝增强等离子体磁控溅射法制备铁磁非晶膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)镀膜前准备试样：/n选取基体材料，清洗；/n2)镀膜前清洗：/n将基体置于等离子体增强磁控溅射设备的腔体内，抽真空；加热除水蒸汽，开1～4根灯丝，灯丝预热15～30分钟，-50～-200V低偏压清洗10～40min，-200～-400V高偏压清洗10～40min；靶电流调至1～10A，清洗靶10～40min；/n3)镀膜：/n热丝增强等离子体磁控溅射设备的腔体四周缠绕4根灯丝，灯丝为钨丝，腔体四壁分别设置矩形靶材，其中一块以上靶材为非晶铁磁薄带；清洗完成后，基体直流偏压调节到-50～-100V，向腔体内通入氩气，氩气流量100～200sccm，腔体内压强控制在0.5～5.0Pa之间；调节灯丝电流为1～10A，靶电流为1～10A，打开挡板，开始溅射。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辽宁科技大学，未经辽宁科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910942636.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
