[发明专利]一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法有效
| 申请号： | 201910940185.7 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110676158B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 柯少颖;陈松岩;黄东林;周锦荣 | 申请（专利权）人： | 闽南师范大学;厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 修斯文;蔡学俊 |
| 地址： | 363000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其具体是通过将非晶结构的Si和Ge双叠层结构引入到Ge/Si键合界面，一方面通过a‑Ge的退火晶化实现无氧化层高强度Ge/Si键合，另一方面利用a‑Si阻断单晶Si和单晶Ge之间的晶格失配，彻底屏蔽失配位错来源，并通过疏松结构的a‑Si实现键合界面副产物的排出和晶格的彻底阻断，以制备无界面气泡、无氧化层、无穿透位错的Ge/Si键合界面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 晶格 阻断 气泡 ge si 混合 集成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1）将经表面处理后的Si片用涂胶机甩干后，放入磁控溅射系统中，待溅射室本底真空度小于1×10
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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