[发明专利]一种磁电传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910938037.1 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110635023A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 门阔;朱婧;连紫薇;魏峰 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/12;H01L41/18;H01L41/20;H01L41/47 |
| 代理公司： | 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁电传感器及其制备方法。所述磁电传感器包括磁电复合薄膜，该薄膜包括依次沉积于单面抛光单晶硅基片上的Ti/Pt电极层、AlN压电层、Ta隔离层和FeGaB磁致伸缩层。所述薄膜的制备方法为：清洗单面抛光单晶硅基片；在基片上采用磁控溅射法依次沉积Ti薄膜、Pt薄膜、AlN薄膜、Ta薄膜、FeGaB薄膜。本发明的磁电传感器是包括FeGaB和AlN的多层结构薄膜，具有灵敏度高、磁机电耦合性能优良等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁电传感器 单晶硅基片 单面抛光 沉积 制备 多层结构薄膜 磁控溅射法 磁致伸缩层 磁电复合 机电耦合 电极层 隔离层 灵敏度 压电层 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种磁电传感器，其特征在于，包括复合磁电薄膜，所述薄膜包括依次沉积于单面抛光单晶硅基片上的Ti/Pt电极材料，AlN压电材料，Ta隔离材料和FeGaB磁致伸缩材料。/n
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