[发明专利]一种磁电传感器及其制备方法在审
申请号: | 201910938037.1 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN110635023A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 门阔;朱婧;连紫薇;魏峰 | 申请(专利权)人: | 有研工程技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L41/08 | 分类号: | H01L41/08;H01L41/12;H01L41/18;H01L41/20;H01L41/47 |
代理公司: | 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈波 |
地址: | 101407 北京市怀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 磁电传感器 单晶硅基片 单面抛光 沉积 制备 多层结构薄膜 磁控溅射法 磁致伸缩层 磁电复合 机电耦合 电极层 隔离层 灵敏度 压电层 清洗 | ||
1.一种磁电传感器,其特征在于,包括复合磁电薄膜,所述薄膜包括依次沉积于单面抛光单晶硅基片上的Ti/Pt电极材料,AlN压电材料,Ta隔离材料和FeGaB磁致伸缩材料。
2.权利要求1所述磁电传感器的制备方法,其特征在于,所述复合磁电薄膜的制备包括以下步骤:
(1)将单面抛光单晶硅基片清洗干净后放入超高真空磁控溅射设备基片台上,准备镀膜;
(2)在步骤(1)所得基片上采用磁控溅射法沉积Ti薄膜和Pt薄膜;
(3)在步骤(2)所述Pt薄膜上采用磁控溅射法沉积AlN薄膜;
(4)在步骤(3)所得AlN薄膜上采用磁控溅射法沉积Ta薄膜;
(5)在步骤(3)所得Ta薄膜上采用磁控溅射法沉积FeGaB薄膜。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述溅射靶材为Ti、Pt靶材,工作气压为0.1-0.4Pa,溅射功率为40-100W,保护气体为惰性气体;所述Ti靶的溅射时间为1-10min,所述Ti薄膜的厚度为5-30nm;Pt靶的溅射时间为1-15min,Pt薄膜的厚度为10-90nm。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(3)中,所述溅射靶材为Al靶材,并通入体积比为1:3的N2、Ar混合气体,工作气压0.5-2Pa,溅射功率为40-160W,保护气体为惰性气体;所述溅射时间30-60min,所述AlN薄膜的厚度为300-1000nm。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(4)中,所述溅射靶材为Ta靶材,工作气压为0.1-0.4Pa,溅射功率为40-100W,保护气体为惰性气体;所述溅射时间为2-10min,所述Ta薄膜的厚度为10-50nm。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(5)中,所述溅射靶材为FeGa靶材和B靶材,FeGa靶材溅射功率为60-80W,B靶材溅射功率为50-80W,共溅射时间为30-120min;所述FeGaB薄膜的厚度为300-1000nm。
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