[发明专利]放电速率依赖可塑性结构及实现方法在审
| 申请号： | 201910925752.1 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110766149A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张丹妮;张烨;易军凯 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063 |
| 代理公司： | 11578 北京集智东方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种放电速率依赖可塑性结构及实现方法，包括突触前神经元PRE、突触后神经元POST和SRDP电子突触，所述SRDP电子突触包括四个MOS晶体管和一个双极开关RRAM；其中四个所述MOS晶体管用符号分别表示为M1、M2、M3、M4，所述M1和M2为一组构成M1/M2分支、所述M3和M4为一组构成M3/M4分支，所述M1/M2与M3/M4并联；所述M1/M2、M3/M4、突触后神经元POST及双极开关RRAM相互串联。本发明能够实现放电时间的可塑性；可以在神经网络层面上演示了无监督学习，证明支持了匹配人脑学习能力的混合CMOS/RRAM集成电路的可行性。 | ||
| 搜索关键词： | 突触 神经元 双极开关 可塑性 放电 神经网络 速率依赖 学习能力 并联 人脑 集成电路 匹配 串联 演示 监督 学习 | ||
【主权项】：
1.放电速率依赖可塑性结构，其特征在于：包括突触前神经元PRE、突触后神经元POST和SRDP电子突触，所述SRDP电子突触包括四个MOS晶体管和一个带有TE顶电极的双极开关RRAM；其中四个所述MOS晶体管用符号分别表示为M1、M2、M3、M4，所述M1和M2为一组构成M1/M2分支、所述M3和M4为一组构成M3/M4分支，所述M1/M2与M3/M4并联；所述突触前神经元PRE通过两条电路分别与M1和M3相连、突触前神经元PRE通过延时电路与M2相连；所述M1/M2、M3/M4、突触后神经元POST及双极开关RRAM相互串联。/n
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