[发明专利]一种测量锑化铟材料PN结深度的方法及系统有效
| 申请号： | 201910910232.3 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110676188B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 邱国臣;李海燕 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 吴淑艳 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种测量锑化铟材料PN结深度的方法及系统，用以简化锑化铟材料PN深度测量的工艺，降低测量成本。测量锑化铟材料PN结深度的方法，包括：将形成了PN结结构的锑化铟材料浸入腐蚀剂中腐蚀形成腐蚀坡；将腐蚀完成后的锑化铟材料放置于去离子水中清洗、吹干；将吹干后的锑化铟材料放置于阳极氧化装置中进行阳极氧化至所述腐蚀坡表面颜色不同形成两个颜色区；将氧化后的锑化铟材料放置于去离子水中清洗、吹干；根据所述腐蚀坡表面颜色的分界，分别测量腐蚀坡的第一宽度和腐蚀坡坡顶颜色分区的第二宽度；利用台阶仪测量所述腐蚀坡的高度；根据所述第一宽度、第二宽度和所述腐蚀坡的高度，确定所述PN结的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 锑化铟 材料 pn 深度 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种测量锑化铟材料PN结深度的方法，其特征在于，包括：/n将形成了PN结结构的锑化铟材料浸入腐蚀剂中腐蚀形成腐蚀坡；/n将腐蚀完成后的锑化铟材料放置于去离子水中清洗、吹干；/n将吹干后的锑化铟材料放置于阳极氧化装置中进行阳极氧化至所述腐蚀坡表面颜色不同形成两个颜色区；/n将氧化后的锑化铟材料放置于去离子水中清洗、吹干；/n根据所述腐蚀坡表面颜色的分界，分别测量腐蚀坡的第一宽度和腐蚀坡坡顶颜色分区的第二宽度；/n利用台阶仪测量所述腐蚀坡的高度；/n根据所述第一宽度、第二宽度和所述腐蚀坡的高度，确定所述PN结的深度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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