[发明专利]一种氧化钴纳米薄片气体传感器及制备方法在审
申请号: | 201910909551.2 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110568026A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 杨志;陈辛未;曾敏;苏言杰;胡南滔;周志华 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12;C01G51/04;B82Y40/00 |
代理公司: | 31220 上海旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种氧化钴纳米薄片气体传感器及制备方法,涉及气体传感材料制备技术领域,包括传感器及其制备方法;所述传感器为横向尺寸1~3μm和厚度1~5nm的纳米薄片状结构,包含钴元素、氧元素和镉元素,所述镉元素含量的原子比为1%~9%;将所述钴离子、所述镉离子、尿素和乙二醇在溶液中进行混合,通过微波水热反应得到氢氧化钴纳米薄片前驱体,然后将传感材料滴加到叉指电极上,通过高温退火将所述氢氧化钴纳米薄片前驱体转变为氧化钴纳米薄片,从而制备得到所述传感器。本发明公开的技术方案与现有技术相比,制备过程中使用的原料来源广泛,成本低,制备得到的传感器,室温条件下响应高,响应速度快,可重复性好。 | ||
搜索关键词: | 纳米薄片 传感器 制备 氢氧化钴 前驱体 氧化钴 气体传感材料 微波水热反应 制备技术领域 薄片状结构 气体传感器 叉指电极 传感材料 高温退火 可重复性 室温条件 制备过程 响应 氧元素 乙二醇 原子比 钴离子 钴元素 镉离子 滴加 尿素 | ||
【主权项】:
1.一种氧化钴纳米薄片气体传感器,其特征在于,所述传感器为横向尺寸1~3μm和厚度1~5nm的纳米薄片状结构;/n所述传感器中包含钴元素、氧元素和镉元素,所述镉元素含量的原子比为1%~9%。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910909551.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。