[发明专利]一种PERC电池激光开槽的制作方法在审
申请号: | 201910908526.2 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110676346A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 童锐;杨均炎;柯希满;张忠卫 | 申请(专利权)人: | 南通苏民新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 32224 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 226300 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种PERC电池激光开槽的制作方法,所述方法包括:制绒、扩散、刻蚀、正面氧化退火、背钝化、正面镀膜、激光开槽、背面氧化退火以及印刷烧结,使用激光开槽设备按照特定图形在硅片背面进行开槽,激光开槽区域设计不限于线段式、直线式和点状,通过二氧化硅膜层的钝化作用,从而对激光开槽处硅片损伤层进行表面钝化,消除激光开槽处由于硅片损伤导致的载流子复合,从而提升最终电池电池片的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 激光开槽 硅片损伤 氧化退火 线段 二氧化硅膜层 光电转换效率 载流子复合 表面钝化 电池电池 钝化作用 硅片背面 区域设计 烧结 直线式 点状 镀膜 钝化 开槽 刻蚀 制绒 背面 电池 扩散 印刷 制作 | ||
【主权项】:
1.一种PERC电池激光开槽的制作方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:/n对硅片双面进行制绒形成绒面;/n对硅片正面进行磷扩散形成PN结,随后镀上若干层二氧化硅膜和氮化硅膜;/n对硅片背面进行抛光、去除边缘PN结及磷硅玻璃,先镀若干层氧化铝膜,达到钝化效果后再镀若干层氮化硅膜;/n在硅片背面开槽,将印刷的浆料和硅片进行连接;/n对硅片背面进行氧化退火操作,形成二氧化硅膜层;/n印刷背面电极、背面铝背场及正面栅线和电极,并进行烧结。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通苏民新能源科技有限公司,未经南通苏民新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910908526.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的