[发明专利]一种PERC电池激光开槽的制作方法

说明书

本发明公开了一种PERC电池激光开槽的制作方法，所述方法包括：制绒、扩散、刻蚀、正面氧化退火、背钝化、正面镀膜、激光开槽、背面氧化退火以及印刷烧结，使用激光开槽设备按照特定图形在硅片背面进行开槽，激光开槽区域设计不限于线段式、直线式和点状，通过二氧化硅膜层的钝化作用，从而对激光开槽处硅片损伤层进行表面钝化，消除激光开槽处由于硅片损伤导致的载流子复合，从而提升最终电池电池片的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏电池制造技术领域，具体涉及一种PERC电池激光开槽的制作方法。

背景技术：

PERC电池技术即钝化背面发射极和背面电池技术，PERC电池与常规电池最大的区别在于背表面介质膜钝化，采用局部金属接触，有效降低背面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。PECVD(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，中文：等离子体增强化学的气相沉积法)是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。ALD(英文：Atomic layerdeposition，中文：原子层沉积)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处,但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。

由于在按照特定图形用激光在硅片背面开槽过程中，开槽深度穿过氮化硅层和氧化铝层到达硅片背面，这将会对硅片背面造成损伤从而形成复合中心，从而影响载流子的收集，降低电池片光电转换效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种PERC电池激光开槽的制作方法，以解决现有技术中导致的容易对硅片背面造成损伤从而形成复合中心，影响载流子的收集，降低电池片光电转换效率的缺陷。

一种PERC电池激光开槽的制作方法，所述方法包括如下步骤：

对硅片双面进行制绒形成绒面；

对硅片正面进行磷扩散形成PN结，随后镀上若干层二氧化硅膜和氮化硅膜；

对硅片背面进行抛光、去除边缘PN结及磷硅玻璃，先镀若干层氧化铝膜，达到钝化效果后再镀若干层氮化硅膜；

在硅片背面开槽，将印刷的浆料和硅片进行连接；

对硅片背面进行氧化退火操作，形成二氧化硅膜层；

印刷背面电极、背面铝背场及正面栅线和电极，并进行烧结。

进一步的，对硅片背面进行氧化退火操作，形成二氧化硅膜层的方法包括如下步骤：

将硅片插入石英舟中，送入热氧化机台炉管内，通入氧气和氮气；

氧气流量3000-8000sccm，炉管内温度650-750℃，氧化时间500-1500s；

氮气流量为5-15slm。

进一步的，印刷背面电极、背面铝背场及正面栅线和电极，并进行烧结的方法包括如下步骤：

印刷背面电极(银浆)、背面铝背场(铝浆)及正面栅线和电极(银浆)；

将印刷好的电池片在300～900℃下进行烧结，使印刷的浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

进一步的，在硅片背面开槽，将印刷的浆料和硅片进行连接的方法包括如下步骤：

按照预设图形用激光在硅片背面开设深度不小于背面氧化铝和氮化硅厚度的槽孔；

将背面印刷的浆料和硅片形成接触。

进一步的，硅片正面的二氧化硅膜的厚度为2-10nm。