[发明专利]一种减少GC处理量的闪存数据写入方法、系统及闪存在审
| 申请号： | 201910880872.4 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110618793A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 陈斯煜;陈寄福;吴大畏;李晓强 | 申请（专利权）人： | 深圳市硅格半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区科技南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少GC处理量的闪存数据写入方法，涉及数据存储技术领域。其技术要点包括S1、闪存主控端将数据写入SLC数据缓冲区；S2、根据SLC数据缓冲区写入数据的次序生成时间戳表；S3、基于时间戳表，将SLC数据缓冲区的数据依次写入TLC数据存储区，本发明具有提升TLC存储单元内存储数据的连续性，减少GC处理量的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 数据缓冲区 写入 时间戳表 处理量 数据存储技术 数据存储区 存储单元 存储数据 技术要点 闪存数据 写入数据 主控端 闪存 | ||
【主权项】：
1.一种减少GC处理量的闪存数据写入方法，其特征在于：包括：/nS1、闪存主控端将数据写入SLC数据缓冲区；/nS2、根据SLC数据缓冲区写入数据的次序生成时间戳表；/nS3、基于时间戳表，将SLC数据缓冲区的数据依次写入TLC数据存储区。/n
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