[发明专利]一种减少GC处理量的闪存数据写入方法、系统及闪存在审

专利信息
申请号: 201910880872.4 申请日: 2019-09-18
公开(公告)号: CN110618793A 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 陈斯煜;陈寄福;吴大畏;李晓强 申请(专利权)人: 深圳市硅格半导体有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南山区科技南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 数据缓冲区 写入 时间戳表 处理量 数据存储技术 数据存储区 存储单元 存储数据 技术要点 闪存数据 写入数据 主控端 闪存
【权利要求书】:

1.一种减少GC处理量的闪存数据写入方法,其特征在于:包括:

S1、闪存主控端将数据写入SLC数据缓冲区;

S2、根据SLC数据缓冲区写入数据的次序生成时间戳表;

S3、基于时间戳表,将SLC数据缓冲区的数据依次写入TLC数据存储区。

2.根据权利要求1所述的一种减少GC处理量的闪存数据写入方法,其特征在于:所述生成时间戳记录表记录有时间戳值和SLC数据缓冲区物理地址:

当一个SLC数据缓冲区写满后,在时间戳记录表中生成新的时间戳值和对应的SLC数据缓冲区物理地址。

3.根据权利要求2所述的一种减少GC处理量的闪存数据写入方法,其特征在于:所述时间戳记录表的下一时间戳值由上一时间戳值增加定值后生成。

4.根据权利要求3所述的一种减少GC处理量的闪存数据写入方法,其特征在于:还包括:

S4、更新已用最大时间戳值。

5.根据权利要求4所述的一种减少GC处理量的闪存数据写入方法,其特征在于:SLC数据缓冲区写入TLC数据存储区包括:

获取已用最大时间戳值;

以已用的最大时间戳值的下一时间戳值作为起始值,依次获取时间戳值对应SLC数据缓冲区物理地址,将SLC数据缓冲区依次写入TLC数据存储区。

6.根据权利要求5所述的一种减少GC处理量的闪存数据写入方法,其特征在于:所述时间戳记录表和已用最大时间戳值均记录于闪存的同一存储单元内。

7.一种减少GC处理量的闪存数据写入系统,其特征在于:包括:

缓冲模块(101),用于将闪存主控端将数据写入SLC数据缓冲区;

排序模块(102),根据SLC数据缓冲区写入数据的次序生成时间戳表;

存储模块(103),基于时间戳表,将SLC数据缓冲区依次写入TLC数据存储区。

8.一种闪存,其特征在于:包括指令,所述指令在计算机上运行时,使得计算机执行权利要求1-6任一项所述的方法。

9.一种减少GC处理量的闪存数据写入的装置,其特征在于:所述装置包括处理器和存储器;

所述存储器用于存储支持所述装置执行权利要求1-6任一项所述的方法的程序,以及

存储用于实现权利要求1-6任一项所述的方法所涉及的数据;

所述处理器被配置为用于执行所述存储器中存储的程序。

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