[发明专利]一种切割及绕线电阻器的生产工艺在审

专利信息
申请号: 201910878221.1 申请日: 2019-09-17
公开(公告)号: CN110648811A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 严萍;邱静怡 申请(专利权)人: 东莞市时豪电子科技有限公司
主分类号: H01C17/06 分类号: H01C17/06;H01C17/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523000 广东省东莞市虎门*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种切割及绕线电阻器的生产工艺,包括以下步骤:S1、选择配料:选取包含钌、铋、锆的金属氧化物为原料,制成切割及绕线电阻器的基料;S2、基料清洗:将S1中制得的基料进行清洗;S3、基料烘干:将S2中完成清洗处理的基料进行放置于烘干机中进行烘干处理;S4、连串基体:将S3中完成烘干处理的基体通过金属芯轴进行连串;S5、蚀刻凹槽:将S4中完成连串的基体放置于XYZ三轴微调平台上,进行蚀刻凹槽;S6、沉积处理:将S5中完成蚀刻凹槽处理的基体向凹槽内沉积银浆料;S7、压帽:将S6中完成沉积处理的基体进行压帽;S8、检测电阻值:将S7中形成的切割及绕线电阻器放置于电阻检测仪中进行电阻值检测。
搜索关键词: 蚀刻 绕线电阻器 沉积 切割 烘干处理 压帽 清洗 电阻检测仪 电阻值检测 金属氧化物 金属芯轴 清洗处理 烘干机 银浆料 烘干 电阻 三轴 微调 生产工艺 检测
【主权项】:
1.一种切割及绕线电阻器的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:/nS1、选择配料:选取包含钌、铋、锆的金属氧化物为原料,制成切割及绕线电阻器的基料;/nS2、基料清洗:将S1中制得的基料进行清洗;/nS3、基料烘干:将S2中完成清洗处理的基料进行放置于烘干机中进行烘干处理;/nS4、连串基体:将S3中完成烘干处理的基体通过金属芯轴进行连串;/nS5、蚀刻凹槽:将S4中完成连串的基体放置于XYZ三轴微调平台上,并对基体表面进行蚀刻凹槽;/nS6、沉积处理:将S5中完成蚀刻凹槽处理的基体,通过磁控溅射技术向凹槽内沉积银浆料;/nS7、压帽:将S6中完成沉积处理的基体进行压帽处理,对所述基体的两端面加压镀镍铁帽,形成本发明所述的切割及绕线电阻器/nS8、检测电阻值:将S7中形成的切割及绕线电阻器放置于电阻检测仪中,进行电阻值检测,筛选合格的切割及绕线电阻器。/n
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