[发明专利]一种切割及绕线电阻器的生产工艺

权利要求书

1.一种切割及绕线电阻器的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、选择配料：选取包含钌、铋、锆的金属氧化物为原料，制成切割及绕线电阻器的基料；

S2、基料清洗：将S1中制得的基料进行清洗；

S3、基料烘干：将S2中完成清洗处理的基料进行放置于烘干机中进行烘干处理；

S4、连串基体：将S3中完成烘干处理的基体通过金属芯轴进行连串；

S5、蚀刻凹槽：将S4中完成连串的基体放置于XYZ三轴微调平台上，并对基体表面进行蚀刻凹槽；

S6、沉积处理：将S5中完成蚀刻凹槽处理的基体，通过磁控溅射技术向凹槽内沉积银浆料；

S7、压帽：将S6中完成沉积处理的基体进行压帽处理，对所述基体的两端面加压镀镍铁帽，形成本发明所述的切割及绕线电阻器

S8、检测电阻值：将S7中形成的切割及绕线电阻器放置于电阻检测仪中，进行电阻值检测，筛选合格的切割及绕线电阻器。

2.根据权利要求1所述的一种切割及绕线电阻器的生产工艺，其特征在于，所述S2中基体需用去离子水进行微波清洗3-5次，清洗每次时间控制在1-3分钟。

3.根据权利要求1所述的一种切割及绕线电阻器的生产工艺，其特征在于，所述S3中烘干机内部工作温度控制在750℃-850℃之间，其烘干时间为2-7分钟。

4.根据权利要求1所述的一种切割及绕线电阻器的生产工艺，其特征在于，所述S5中蚀刻的凹槽距离基体边缘3-6um，其深度为电极的厚度。

5.根据权利要求1所述的一种切割及绕线电阻器的生产工艺，其特征在于，所述S6中沉积的银浆料包括以下成分量的材料组成：银粉45-54％、粘合剂30-45％、二乙二醇丁醚醋酸酯15-25％、分散剂5-8％和玻璃粉7-9％。