[发明专利]用于PUF的电路结构、获取PUF数据的方法及电子设备在审
| 申请号： | 201910867358.7 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110751968A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 刘毅华;肖韩;王宗巍;蔡一茂 | 申请（专利权）人： | 浙江省北大信息技术高等研究院;杭州未名信科科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C7/24 |
| 代理公司： | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种用于PUF的电路结构、获取PUF数据的方法及电子设备，该电路结构包括：存储矩阵，所述存储矩阵包括多个存储单元；其中每个所述存储单元被施加形成电压；读取单元，用于读取每个所述存储单元被施加形成电压后的形成阻值，并将所述形成阻值输送至比较单元；所述比较单元，用于比较所述形成阻值与预设阻值的大小，并根据比较结果确定PUF数据并输出该PUF数据。相较于现有技术，由于存储单元阻值分布更加的不收敛，因此更加容易实现PUF功能，可以节约各种芯片的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 比较单元 存储矩阵 电路结构 读取 施加 电子设备 读取单元 制造成本 预设 收敛 芯片 输出 节约 申请 | ||
【主权项】：
1.一种用于物理不可克隆功能PUF的电路结构，其特征在于，包括：/n存储矩阵，所述存储矩阵包括多个存储单元；其中，每个所述存储单元被施加形成电压；/n读取单元，用于读取每个所述存储单元被施加形成电压后的形成阻值，并将所述形成阻值输送至比较单元；/n所述比较单元，用于比较所述形成阻值与预设阻值的大小，并根据比较结果确定PUF数据并输出该PUF数据。/n
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