[发明专利]一种光电探测器光敏面中心精确测量装置及方法有效
申请号: | 201910848986.0 | 申请日: | 2019-09-09 |
公开(公告)号: | CN110676187B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 张勇;王斌;马军伟;李群;王文仲;赵宗哲;韩文进 | 申请(专利权)人: | 西安北方光电科技防务有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18;G01B11/27 |
代理公司: | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人: | 李新苗 |
地址: | 710043 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供了一种光电探测器光敏面中心精确测量装置及方法,包括显微镜,还包括与显微镜配合使用的双竖轴组合检测装置,所述双竖轴组合检测装置包括从上至下依次连接的上竖轴盖、竖轴套和下竖轴座,所述上竖轴盖、竖轴套和下竖轴座均同轴。本发明主要针对双四象限光电探测器光敏面中心相对装配基准轴偏离量大和同轴度测量难题,可实现自动确定中心和准确定位。本发明提供的光电探测器光敏中心精确检测方法,通过修切消除带环光电探测器部件原方案装配过程产生的基准转换误差,剔除了器件制造基准与光敏面中心测量的基准轴之间偏离误差,既能满足超差器件的装配要求,又能消除原装配过程的基准转换误差。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 光敏 中心 精确 测量 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电探测器光敏中心精确检测装置,包括显微镜,其特征在于:还包括与显微镜配合使用的双竖轴组合检测装置,所述双竖轴组合检测装置包括从上至下依次连接的上竖轴盖(22)、竖轴套(21)和下竖轴座(20),所述上竖轴盖(22)、竖轴套(21)和下竖轴座(20)均同轴。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造