[发明专利]一种光电探测器光敏面中心精确测量装置及方法有效
申请号: | 201910848986.0 | 申请日: | 2019-09-09 |
公开(公告)号: | CN110676187B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 张勇;王斌;马军伟;李群;王文仲;赵宗哲;韩文进 | 申请(专利权)人: | 西安北方光电科技防务有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18;G01B11/27 |
代理公司: | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人: | 李新苗 |
地址: | 710043 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 光敏 中心 精确 测量 装置 方法 | ||
本发明提供了一种光电探测器光敏面中心精确测量装置及方法,包括显微镜,还包括与显微镜配合使用的双竖轴组合检测装置,所述双竖轴组合检测装置包括从上至下依次连接的上竖轴盖、竖轴套和下竖轴座,所述上竖轴盖、竖轴套和下竖轴座均同轴。本发明主要针对双四象限光电探测器光敏面中心相对装配基准轴偏离量大和同轴度测量难题,可实现自动确定中心和准确定位。本发明提供的光电探测器光敏中心精确检测方法,通过修切消除带环光电探测器部件原方案装配过程产生的基准转换误差,剔除了器件制造基准与光敏面中心测量的基准轴之间偏离误差,既能满足超差器件的装配要求,又能消除原装配过程的基准转换误差。
技术领域
本发明具体涉及一种光电探测器光敏面中心精确测量装置及方法,用于不能直接接触测量的器件和类似结构零件的检测。
背景技术
双四象限光电探测器是激光导引头捕获目标的核心器件,分外四象限和内四象限8个区,内四象限的十字分划线的中心(又称光敏面中心),即光敏面上F轴、G轴交叉点,要求其相对器件检测基准的偏离量不大于0.1mm,这对导引头光学零位与电零位重合调整起决定作用。如果光敏面中心相对器件的检测基准的同轴度超差或偏离量过大,将影响导引头物镜部件弥散圆曲线调试,会使导引头光学零位与电零位不重合,导引头输出的陀螺修正信号不能真实的反映跟踪角速度,直接影响导引头瞄准及捕获目标的精度,易导致脱靶,因而双四象限光电探测器也称为激光导引头的眼睛。
双四象限光电探测器在器件制造、带环光电探测部件以及激光导引头光学系统装调时,光敏面中心的测量基准需要转换迭代,产生迭代误差,其也不能直接接触测量。光敏面中心测量基准转换修切到带环光电探测部件短锥面部位后,仍用双四象限光电探测器中的器件制造基准为测量基准,产生基准不重合误差,造成误判。若器件制造基准与器件光敏面中心的检测基准不同轴或偏差量较大时,器件制造基准不能用做光敏面中心偏差的检测,也不能用做带环光电探测器部件的基准锥面修切加工的基准,亟待解决此问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光电探测器光敏面中心精确测量装置,主要针对双四象限光电探测器光敏面中心相对装配基准轴偏离量大和同轴度测量难题,可实现自动确定中心和准确定位。
本发明的另一个目的在于提供一种光电探测器光敏面中心精确测量方法,实现批量化测量。
为此,本发明提供的技术方案如下:
一种光电探测器光敏中心精确检测装置,包括显微镜,还包括与显微镜配合使用的双竖轴组合检测装置,所述双竖轴组合检测装置包括从上至下依次连接的上竖轴盖、竖轴套和下竖轴座,所述上竖轴盖、竖轴套和下竖轴座均同轴。
所述上竖轴盖为圆体结构,两端均开口,中心从上至下依次为自找正承力端面和上竖轴孔。
所述竖轴套中心从上至下依次为上竖轴外圆、自定心锥面、容纳腔、下竖轴孔和下竖轴承力端面一。
所述下竖轴座包括从上至下依次设置的圆柱体、下竖轴承力端面二和照准部端面,所述圆柱体的横截面为下竖轴外圆。
所述上竖轴孔与自找正承力端面二的垂直度不大于0.002mm,上竖轴孔的圆柱度不大于0.003mm,且表面粗糙度Ra0.1。
所述下竖轴孔与下竖轴承力端面一的垂直度小于0.002mm,所述下竖轴孔圆柱度小于0.003mm,所述上竖轴外圆和自定心锥面均以下竖轴孔和下竖轴承力端面一为基准,且相对基准的同轴度小于0.001mm,所述上竖轴外圆圆柱度小于0.003mm、间隙控制在0.002mm以内,各功能面表面粗糙度Ra0.1。
所述照准部端面二平面度小于0.002mm,所述下竖轴外圆与下竖轴承力端面二均以照准部端面为基准加工,下竖轴承力端面二与照准部端面二的平行度小于0.001mm,下竖轴外圆与照准部端面二的垂直度小于0.001mm,各功能面表面粗糙度Ra0.1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安北方光电科技防务有限公司,未经西安北方光电科技防务有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910848986.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种异面立体组装键合装置
- 下一篇:一种测量锑化铟材料PN结深度的方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造