[发明专利]一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201910843148.4 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110937662A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 薛娟琴;张健;雷大士;李姝昊;毕强;唐长斌 | 申请（专利权）人： | 西安建筑科技大学 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/30;C02F103/30;C02F101/38 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 宋平 |
| 地址： | 710055*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极、制备方法及其应用，属于半导体技术领域。本发明所述制备方法先采用水热法制备不同Tm掺杂量改性的钼酸铋粉末，依次加入聚乙二醇和乙醇，制成粘稠性较好的悬浮液，再均匀刮涂至导电玻璃上，置于烘箱中，再置于马弗炉中，焙烧，得到Tm掺杂改性锡酸锌光电极。本发明得到的Tm掺杂改性钼酸铋光电极比纯Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 tm 掺杂 改性 钼酸 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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