[发明专利]一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：在Tm掺杂改性钼酸铋悬浮液中加入聚乙二醇并搅拌均匀，得到混合均匀的混合液；

步骤二：向步骤一所述混合液中加入乙醇，加热搅拌至完全溶解，得到粘稠性悬浮液；

步骤三：将步骤二所述悬浮液均匀刮涂至导电玻璃上，在导电玻璃上形成薄膜，然后置于烘箱中，加热保温得到涂有Tm掺杂改性钼酸铋的导电玻璃；

步骤四：将步骤三得到的涂有Tm掺杂改性钼酸铋的导电玻璃置于马弗炉中，高温焙烧得到Tm掺杂改性钼酸铋光电极。

2.根据权利要求1所述的一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤一中所述Tm掺杂改性钼酸铋悬浮液的制备方法，包括以下步骤：

(1)制备Tm掺杂改性钼酸铋粉末：在钼酸铋前驱体中添加Tm(NO₃)₃，其中n_Tm：n_Bi＝2：100，调节溶液pH为9，水热条件下反应24h、水热反应温度为180℃，过滤烘干制得Tm掺杂改性钼酸铋粉末；

(2)制备Tm掺杂改性钼酸铋悬浮液：将步骤(1)中制备得到的Tm掺杂改性钼酸铋粉末与去离子水混合，搅拌均匀即形成所述Tm掺杂改性钼酸铋悬浮液，混合比例为Tm掺杂改性钼酸铋粉末：去离子水＝10:1。

3.根据权利要求1所述的一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤一种所述Tm掺杂改性钼酸铋悬浮液与聚乙二醇400的体积比为5:1。

4.根据权利要求1所述的一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极的制备方法，其特征在于：乙醇与聚乙二醇的体积比为1:10。

5.根据权利要求1所述的一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤二中加热搅拌温度为70～80℃。

6.根据权利要求1所述的一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤三中薄膜厚度为45μm。

7.根据权利要求1所述的一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤三中烘箱温度为80～100℃，保温时间为2～3h。

8.根据权利要求1所述的一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤四中焙烧温度为500～600℃，焙烧时间为2～3h。

9.利用权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到的Tm掺杂改性钼酸铋光电极。

10.权利要求9所述的Tm掺杂改性钼酸铋光电极在染料废水处理中的应用，其特征在于：所述废水中含有亚甲基蓝、甲基橙或罗丹明B中的一种或几种。