[发明专利]光学感测器及其形成方法在审
申请号: | 201910841681.7 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN112466895A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 刘士豪;罗宗仁;廖志成;吕武羲;罗明城;钟伟纶;林志威 | 申请(专利权)人: | 世界先进积体电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙乳笋;周永君 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种光学感测器及其形成方法,该光学感测器包含:衬底、第一阱、第二阱、第三阱、深沟槽隔离结构、以及钝化层。衬底具有第一导电类型且包含感测区。第一阱位于感测区中,其具有第二导电类型以及第一深度。第二阱位于感测区中,其具有第二导电类型以及第二深度。第三阱位于感测区中,其具有第一导电类型以及第三深度。深沟槽隔离结构位于衬底中且围绕感测区,其中深沟槽隔离结构的深度大于第一深度,第一深度大于第二深度,且第二深度大于第三深度。钝化层位于衬底之上,其中钝化层包含多个突出部位于此感测区的正上方,实现提升光学感测器的量子效率。 | ||
搜索关键词: | 光学 感测器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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