[发明专利]一种铁电陶瓷集束电子发射器在审

专利信息
申请号: 201910839679.6 申请日: 2019-09-06
公开(公告)号: CN110534387A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 曹万强 申请(专利权)人: 湖北大学
主分类号: H01J29/48 分类号: H01J29/48;H01J29/86
代理公司: 11569 北京高沃律师事务所 代理人: 刘凤玲<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 430062 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种铁电陶瓷集束电子发射器,所述集束电子发射器包括真空玻璃管、电子发射端、栅极、聚焦电子磁场、阳极、调控磁场;电子发射端铺覆在所述真空玻璃管的底部;栅极对应所述电子发射端设置,并与所述电子发射端间隔开,栅极用于吸引电子发射端发射出的电子;阳极对应栅极设置,并与栅极间隔开,聚焦电子磁场产生的磁场用于控制高能电子的运动轨迹;调控磁场设置在真空玻璃管的管口,用于控制高能电子的出射方向。通过本申请所述铁电陶瓷集束电子发射器可将漫射的电子束在高电场作用下收集、加速和聚焦,控制高能电子的出射方向。
搜索关键词: 电子发射端 磁场 电子发射器 真空玻璃管 高能电子 集束 阳极 聚焦电子 铁电陶瓷 出射 电子束 磁场产生 运动轨迹 栅极间隔 高电场 调控 管口 漫射 铺覆 聚焦 发射 申请 吸引
【主权项】:
1.一种铁电陶瓷集束电子发射器,其特征在于,所述集束电子发射器包括真空玻璃管、电子发射端、栅极、聚焦电子磁场、阳极、调控磁场;/n所述真空玻璃管的底部为曲面形玻璃管,所述真空玻璃管的管身为弯曲的弧形玻璃管;/n所述电子发射端铺覆在所述真空玻璃管的底部;/n所述栅极的表面对应所述电子发射端表面设置,并与所述电子发射端间隔开,所述栅极用于吸引所述电子发射端发射的电子,获得吸引电子;/n所述阳极对应所述栅极设置,并与所述栅极间隔开,所述阳极和所述栅极分别与不同的正电压连接,所述阳极与所述栅极之间形成电压差,在所述阳极与所述栅极之间的空隙形成电场,所述电场用于加速所述吸引电子,获得高能电子;/n所述聚焦电子磁场设置在所述电场对应所述真空玻璃管区域的外壁,所述聚焦电子磁场产生的磁场用于控制所述高能电子的运动轨迹;/n所述调控磁场设置在所述真空玻璃管的管口,用于控制所述高能电子的出射方向。/n
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