[发明专利]刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备及优化晶圆刻蚀效果的方法在审
| 申请号： | 201910825488.4 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447547A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该发明涉及一种刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备及优化晶圆刻蚀效果的方法，其中所述刻蚀辅助装置用于辅助晶圆刻蚀，包括：隔片，用于设置到聚焦环所围的区域内，使所述聚焦环内放置的晶圆与所述聚焦环之间的距离大于一预设值。本发明的刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备及优化晶圆刻蚀效果的方法能够隔开聚焦环和晶圆，使聚焦环和晶圆之间大于预设值，不会影响所述晶圆的边缘部分的温度分布，能够有效提高晶圆边缘部分的均匀性，提高晶圆生产的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 辅助 装置 设备 优化 效果 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
