[发明专利]一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法有效
申请号: | 201910823826.0 | 申请日: | 2019-09-02 |
公开(公告)号: | CN110473792B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 徐开凯;刘炜恒;施宝球;曾德贵;赵建明;曾尚文;钱呈;钱津超;李建全;廖楠;徐银森;刘继芝;李洪贞;陈勇;黄平;李健儿 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;广安职业技术学院;四川晶辉半导体有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司;上海朕芯微电子科技有限公司;四川上特科技有限公司;重庆中科渝芯电子有限公司;四川芯合利诚科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/78 |
代理公司: | 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113 | 代理人: | 刘谟培;左燕生 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法,包括如下步骤:(1)原芯片重新布局布线工艺;(2)重新布局布线层表面做钝化处理;(3)芯片倒置后填涂第一塑封层;(4)芯片外接引脚淀积金属外延层;(5)执行第一次切割工艺;(6)填充第二塑封层;(7)进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面;(8)在金属外延层焊接表面生成金属焊球;(9)执行第二次切割工艺。本发明可以解决现有技术中需要使用高成本的模具导致成本高的技术问题,无须使用高成本模具,大大降低了生产成本。本发明属于半导体技术领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 集成电路 晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:/n(1)对未进行切割工艺的芯片执行重新布局布线工艺,形成重新布局布线层;/n(2)对重新布局布线层表面进行钝化处理,然后执行化学机械抛光工艺至裸露出重新布局布线层的芯片外接引脚;/n(3)将芯片顶层倒置于承载板上,在芯片底层浇注环氧树脂,形成第一塑封层;/n(4)将芯片与第一塑封层翻转,使第一塑封层置于承载板上,对芯片外接引脚进行金属淀积工艺或电镀工艺形成金属外延层;/n(5)对芯片与第一塑封层执行第一次切割工艺,切割宽度为L1,切割深度大于芯片厚度且小于芯片与第一塑封层厚度之和,形成第一切割沟道;/n(6)在第一切割沟道填充环氧树脂至覆盖金属外延层焊接表面,形成第二塑封层;/n(7)对第二塑封层进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面;/n(8)在焊接表面进行电镀工艺或植球工艺,生长金属焊球;/n(9)对第一塑封层和第二塑封层执行第二次切割工艺,切割宽度为L2(L1>L2),切割深度为完全切割至承载板表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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