[发明专利]一种深耗尽的图像传感器像素单元结构及制作方法在审
| 申请号： | 201910800477.0 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110544667A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 顾学强;李梦;孙德明 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/761 | 分类号： | H01L21/761;H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;张磊<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深耗尽的图像传感器像素单元结构，包括：埋设于P‑硅衬底中的介质绝缘层，设于所述P‑硅衬底中并位于所述介质绝缘层上方的P阱，设于所述P‑硅衬底中并位于所述P阱一侧的光电二极管，设于所述介质绝缘层下方的所述P‑硅衬底背面上的P++注入衬底层；其中，通过所述介质绝缘层对所述P阱和所述P++注入衬底层进行完全的物理隔离，以阻断漏电通路，避免了漏电的产生，从而提升了图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介质绝缘层 硅衬底 衬底层 图像传感器像素 光电二极管 图像传感器 单元结构 漏电通路 物理隔离 漏电 耗尽 埋设 背面 | ||
【主权项】：
1.一种深耗尽的图像传感器像素单元结构，其特征在于，包括：埋设于P-硅衬底中的介质绝缘层，设于所述P-硅衬底中并位于所述介质绝缘层上方的P阱，设于所述P-硅衬底中并位于所述P阱一侧的光电二极管，设于所述介质绝缘层下方的所述P-硅衬底背面上的P++注入衬底层；其中，通过所述介质绝缘层对所述P阱和所述P++注入衬底层进行完全的物理隔离，以阻断漏电通路。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
