[发明专利]磁性穿隧接面结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910795813.7 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110867513B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 杨毅;沈冬娜;王郁仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种磁性穿隧接面结构及其制造方法，连接金属导通孔堆叠物通过重复沉积导通孔层、将导通孔层图案化及修整以形成小于30nm的导通孔、以介电层封装导通孔及暴露出导通孔的顶表面的步骤形成于底电极上。磁性穿隧接面堆叠物沉积于封装的导通孔堆叠物上，顶电极沉积于磁性穿隧接面堆叠物上，并将顶电极图案化及修整以形成小于60nm的硬遮罩。使用硬遮罩蚀刻磁性穿隧接面堆叠物以形成磁性穿隧接面元件，并过蚀刻磁性穿隧接面堆叠物以蚀刻介电层而不蚀刻底电极，其中任何金属再沉积材料形成于磁性穿隧接面元件下方的介电层的侧壁上，而不形成于磁性穿隧接面元件的阻障层的侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 穿隧接面 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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