[发明专利]一种红外和可见光双波段传感器像元及阵列在审
| 申请号： | 201910785407.2 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110571232A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 阙隆成;张逸;闵道刚;杨凯;吕坚;周云 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01J1/42;G01J1/44;G01J5/00;G01J5/20 |
| 代理公司： | 51220 成都行之专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外和可见光双波段传感器像元及阵列，包括硅衬底(8)和位于硅衬底(8)上层的金属反射层(5)组成的基础块、从硅衬底(8)上生长的可见光传感部(6)、悬空设置于基础块上方的红外传感部(1)；每一个双波段传感器像元包括2个可见光传感部(6)，且2个可见光传感部(6)在俯视方向上关于红外传感部(1)呈左右对称布置，红外传感部(1)在俯视方向的投影介于2个可见光传感部(6)之间，且2个可见光传感部(6)远离红外传感部(1)的一侧边均与基础块对应侧边齐平。 | ||
| 搜索关键词： | 可见光 传感部 红外传感 硅衬底 基础块 双波段 传感器 像元 俯视 左右对称布置 金属反射层 悬空设置 侧边 齐平 投影 上层 生长 | ||
【主权项】：
1.一种红外和可见光双波段传感器像元，其特征在于：/n包括硅衬底(8)和位于硅衬底(8)上层的金属反射层(5)组成的基础块、从硅衬底(8)上生长的可见光传感部(6)、悬空设置于基础块上方的红外传感部(1)；/n每一个双波段传感器像元包括2个可见光传感部(6)，且2个可见光传感部(6)在俯视方向上关于红外传感部(1)呈左右对称布置，红外传感部(1)在俯视方向的投影介于2个可见光传感部(6)之间，且2个可见光传感部(6)远离红外传感部(1)的一侧边均与基础块对应侧边齐平。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
