[发明专利]一种具有P型双重补偿结构的高压RESURF LDMOS器件在审
| 申请号： | 201910775645.5 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420804A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;张冰莹;陈亮 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有P型双重补偿结构的高压RESURF LDMOS器件，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱，在深N阱中设置深P阱，N阱，P型横向变掺杂顶层区和P型横向均匀掺杂埋层区，P型横向均匀掺杂埋层区的一端和深P阱相通，P型横向变掺杂顶层区设置在P型横向均匀掺杂埋层区之上，在P型横向变掺杂顶层区中，由靠近源端到靠近漏端，掺杂浓度逐渐减小。在本发明中，横向变掺杂技术的引入很好的优化了器件表面电场，P型双重补偿结构进一步优化器件内部电场，该结构使器件击穿电压达到605‑629V，导通电阻值为7.5‑7.9Ω·mm |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 双重 补偿 结构 高压 resurf ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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