[发明专利]具有啁啾超晶格最终势垒结构的深紫外LED及制备方法有效
| 申请号： | 201910775500.5 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110600591B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张骏;梁仁瓅;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 江慧 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有啁啾超晶格最终势垒结构的深紫外LED及制备方法，该深紫外LED包括蓝宝石衬底、AlN本征层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、啁啾超晶格最终势垒层、电子阻挡层、P型AlGaN注入层和P型GaN接触层；所述啁啾超晶格最终势垒层为厚度啁啾且由若干Al |
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| 搜索关键词： | 具有 啁啾 晶格 最终 结构 深紫 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有啁啾超晶格最终势垒结构的深紫外LED，其特征在于，包括蓝宝石衬底、AlN本征层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、啁啾超晶格最终势垒层、电子阻挡层、P型AlGaN注入层和P型GaN接触层；/n于所述蓝宝石衬底上依次沉积所述AlN本征层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、啁啾超晶格最终势垒层、电子阻挡层、P型AlGaN注入层和P型GaN接触层；/n所述啁啾超晶格最终势垒层为厚度啁啾且由若干Al
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