[发明专利]一种制备水热法MoS2

摘要

本发明公开了一种制备水热法MoS2多级阻变存储器的方法。该阻变存储器由玻璃基底、Cu底电极、MoS2阻变层和Ag顶电极依次叠加的三明治结构组成。其中阻变层MoS2首先是采用钼酸铵、硫脲、盐酸羟胺为原料，通过水热法制备的MoS2花状纳米球；接着采用NN‑二甲基甲酰胺为分散剂对MoS2纳米球进行超声分散；最后用抽滤的方法制备MoS2阻变层薄膜。通过对存储器在不同的限流下进行阻变特性测试，器件表现出不同的低阻态，在一个存储单元中实现了多级存储。

主权项

1.一种制备水热法MoS₂多级阻变存储器的方法，其特征在于, 所述存储器包括玻璃基底、底电极、MoS₂阻变层和顶电极，其制备步骤如下： 步骤一、分别取钼酸铵、硫脲加入100ml去离子水在磁力搅拌器上搅拌直至溶解，形成透明溶液；/n步骤二、在连续搅拌的条件下加入盐酸羟胺，通过加入2 mol/L的HCL或氨水调节溶液的PH值；/n步骤三、将制备好的混合溶液转移到聚四氟乙烯中，然后放入高压反应釜中，再密封高压釜，将其在数字温控箱中维持反应温度160~240℃进行水热反应16~28h；/n步骤四、加热时间结束后，将获得的反应溶液用去离子水和无水乙醇分别冲洗三次,除去多余的反应物和杂质；将获得的黑色固体样品放入60~80℃的干燥箱中干燥6~12h，干燥后收集产物,然后对其进行表征；/n步骤五、采用真空蒸发镀膜法在清洗后的玻璃片上蒸镀厚度为50~500nm的金属底电极薄膜；/n步骤六、将采用水热法制备出的MoS₂在NN-二甲基甲酰胺中超声处理1~4h制备MoS₂悬浮液；/n步骤七、将MoS₂悬浮液高速离心20~60 min后取出上清液，采用真空抽滤法在底电极上制备MoS₂薄膜；/n步骤八、在MoS₂薄膜上蒸镀直径250μm、厚度50~500 nm的顶电极；/n步骤九、将制备好的阻变存储器采用吉时利(keithely)4200-SCS半导体特性分析仪在不同限流下进行阻变特性测试。/n