[发明专利]一种栅控P-i-N二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910763000.X | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110444585B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 朱天志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅控P‑i‑N二极管及其制造方法，提供衬底、位于该衬底上的氧化硅绝缘层和位于氧化硅绝缘层之上的体硅；在体硅中形成N阱；在N阱中形成浅沟道隔离区；在N阱的两侧分别形成N型重掺杂区和P型重掺杂区；在N阱的上方形成栅极。本发明的栅控P‑i‑N二极管由于电子在N阱中为多数载流子，N阱中电子因栅极上施加高电压时的大量累积在N阱上表面可以提升栅控P‑i‑N二极管的反向击穿电流；从而提升该器件充当防静电保护器件时的二次击穿电流。N型多晶硅栅极部分覆盖N阱,N型多晶硅栅极与阴极存在一定的距离，调节N型多晶硅栅极与阴极之间的距离可以调节栅控P‑i‑N二极管的触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅控P‑i‑N二极管，其特征在于，至少包括：背栅；位于该背栅上的氧化硅绝缘层；位于氧化硅绝缘层之上的体硅；位于所述体硅中的N阱；分别位于所述N阱两侧的N型重掺杂区和P型重掺杂区；位于所述N阱外侧的浅沟道隔离区；位于所述N阱上方的栅极；所述栅极和所述N型重掺杂区连接并一同构成该栅控P‑i‑N二极管的阳极；所述P型重掺杂区构成该栅控P‑i‑N二极管的阴极。
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