[发明专利]一种栅控P-i-N二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910763000.X | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110444585B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 朱天志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种栅控P-i-N二极管，其特征在于，至少包括：
背栅；位于该背栅上的氧化硅绝缘层；位于氧化硅绝缘层之上的体硅；
位于所述体硅中的N阱；分别位于所述N阱两侧的N型重掺杂区和P型重掺杂区；位于所述N阱外侧的浅沟道隔离区；
位于所述N阱上方的栅极；所述栅极和所述N型重掺杂区连接并一同构成该栅控P-i-N二极管的阳极；所述P型重掺杂区构成该栅控P-i-N二极管的阴极；所述栅极的另一端与所述P型重掺杂区之间的水平距离为0～0.3μm；
所述栅极的长度为0.01～1μm。
2.根据权利要求1所述的栅控P-i-N二极管，其特征在于：所述栅极为N型多晶硅栅极。
3.根据权利要求2所述的栅控P-i-N二极管，其特征在于：位于所述N阱上的栅极覆盖所述N阱的一部分。
4.根据权利要求3所述的栅控P-i-N二极管，其特征在于：所述栅极的一端与所述N阱靠近所述N型重掺杂区的一侧对齐，所述栅极的另一端与所述P型重掺杂区存在间距。
5.根据权利要求1所述的栅控P-i-N二极管，其特征在于：所述背栅为P型衬底。
6.根据权利要求1至5所述的任意一项的栅控P-i-N二极管的制造方法，其特征在于：该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供衬底和位于该衬底上的氧化硅绝缘层；该氧化硅绝缘层之上设有体硅；
步骤二、在所述体硅中形成N阱；
步骤三、在所述N阱中形成浅沟道隔离区；
步骤四、在所述N阱的两侧分别形成N型重掺杂区和P型重掺杂区；
步骤五、在所述N阱的上方形成栅极；
步骤六、将所述衬底接出形成背栅。
7.根据权利要求6所述的栅控P-i-N二极管的制造方法，其特征在于：该方法还具有步骤七：将所述栅极和所述N型重掺杂区连接并接出形成阳极；将所述P型重掺杂区接出形成阴极。
8.根据权利要求6所述的栅控P-i-N二极管的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为P型衬底。
9.根据权利要求6所述的栅控P-i-N二极管的制造方法，其特征在于：步骤五中在所述N阱上方形成的栅极为N型多晶硅栅极。
10.根据权利要求9所述的栅控P-i-N二极管的制造方法，其特征在于：所述栅极的一端与所述N阱靠近所述N型重掺杂区的一侧对齐，所述栅极的另一端与所述P型重掺杂区存在间距。
11.根据权利要求10所述的栅控P-i-N二极管的制造方法，其特征在于：所述栅极的另一端与所述P型重掺杂区之间的水平距离为0～0.3μm。
12.根据权利要求11所述的栅控P-i-N二极管的制造方法，其特征在于：所述栅极的长度为0.01～1μm。
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