[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供具有导电类型为N型或P型的掺杂区的衬底；形成至少一个浅沟槽隔离结构，以在所述掺杂区中定义出相互隔离的感光区和读取区；以及，对所述读取区进行反型离子掺杂，所述反型离子掺杂的深度大于或等于所述浅沟槽隔离结构的深度，以使得所述读取区的导电类型与所述掺杂区的读取区之外的区域的导电类型相反，当所述掺杂区的读取区之外的区域的导电类型为N型时，所述读取区的导电类型为P型；当所述掺杂区的读取区之外的区域的导电类型为P型时，所述读取区的导电类型为N型。本发明的技术方案使得相邻感光区之间以及感光区和读取区之间的相互串扰问题得到改善。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，具有一掺杂区，所述掺杂区包含至少一个感光区和至少一个与所述感光区相邻的读取区，且当所述掺杂区的读取区之外的区域的导电类型为N型时，所述读取区的导电类型为P型；当所述掺杂区的读取区之外的区域的导电类型为P型时，所述读取区的导电类型为N型；以及，浅沟槽隔离结构，至少形成于所述掺杂区中且设置在相邻的所述读取区和感光区之间，且所述读取区的深度大于或等于所述浅沟槽隔离结构的深度。