[发明专利]一种高可靠性相变材料和相变存储器及制备方法有效
| 申请号： | 201910759485.5 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110571329B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;周凌珺;童浩 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高可靠性相变材料，其为第一相变材料层和第二相变材料层循环交替叠合而成的类超晶格相变材料层，所述第一相变材料层和所述第二相变材料层之间形成类超晶格界面，所述第一相变材料层为Sb |
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| 搜索关键词： | 一种 可靠性 相变 材料 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高可靠性相变材料，其特征在于：其为第一相变材料层(104)和第二相变材料层(105)循环交替叠合而成的类超晶格相变材料层(106)，所述第一相变材料层(104)和所述第二相变材料层(105)之间形成类超晶格界面，所述第一相变材料层(104)为Sb
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