[发明专利]具有闩锁免疫的半导体器件

摘要

公开了具有闩锁免疫的半导体器件。一种半导体器件，包括：第二导电类型的本体区；第二导电类型的本体接触区，形成在本体区中并且与本体区相比具有更高的平均掺杂浓度；在与本体接触区相邻的本体区中形成的与第二导电类型相反的第一导电类型的源极区；第一导电类型的漂移区带，由本体区的形成半导体器件的沟道区的区段将该第一导电类型的漂移区带与源极区分隔开；以及栅极电极，被配置为控制沟道区。本体接触区在朝向沟道区的方向上在源极区的大部分之下延伸并且在源极区的大部分之下具有至少1x1018cm‑3的掺杂浓度。描述了附加的半导体器件实施例和制造方法。