[发明专利]一种具有类脑特性的忆阻器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910746756.3 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110444660A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 童祎;高斐;陆立群;周瑾;李岳峰;郭宇锋;连晓娟;万相 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹 |
| 地址： | 210012 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种具有类脑特性的忆阻器件及其制备方法，该忆阻器件设置于衬底上，该忆阻器件包括保护层、上导电电极、中间功能层、下导电电极，保护层与所述上导电电极的形状、尺寸一一匹配，所述中间功能层、下导电电极与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述中间功能层为二元氧化物，所述保护层为惰性材料，所述上导电电极通过掩膜板的开孔溅射在所述中间功能层的顶部，所述下导电电极的顶部、底部分别与所述中间功能层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，具有类似人脑选择性记忆的特性，具有广阔的应用前景。本发明忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，适合在产业上推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 功能层 上导电电极 下导电电极 保护层 衬底 制备 脑特性 匹配 导电性 二元氧化物 选择性记忆 惰性材料 器件设置 掩膜板 人脑 触接 溅射 开孔 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有类脑特性的忆阻器件，其特征在于：该忆阻器件设置于衬底上，该忆阻器件包括保护层、上导电电极、中间功能层、下导电电极，保护层与所述上导电电极的形状、尺寸一一匹配，所述中间功能层、下导电电极与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述中间功能层为二元氧化物，所述保护层为惰性材料，所述上导电电极通过掩膜板的开孔溅射在所述中间功能层的顶部，所述下导电电极的顶部、底部分别与所述中间功能层、衬底相触接。
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