[发明专利]一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π‑π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。

主权项

1.一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子，其特征在于，卟啉分子的结构通式如下：其中：M为H、Zn、Cu、Fe、Co、Ni、Al、Mg、Mn中的一种；Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄相同或不同，为以下芳香性官能团结构分子中的一种或几种：上述分子式中：X原子为O，S，N中的一种；R₁‑R₉为氢或具有1至8个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基链或含上述链段的芳烃结构，且在分子链段结构中的一个或多个碳原子能够被烯基、炔基、芳基、氨基、羟基、酯基、羰基、羧基、硝基、氰基所取代；*为与卟啉meso‑位直接相连的位点。