[发明专利]芯片转移方法有效
| 申请号： | 201910738573.7 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110429051B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;邱成峰;莫炜静;郑汉宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片转移方法，包括：将弹性膜的第一表面覆盖于至少两个待转移芯片的第一侧，以吸附具有第一间距的所述至少两个待转移芯片，所述弹性膜的第一表面涂覆有胶层；在至少一个方向上拉伸所述弹性膜以调整所述至少两个待转移芯片的之间距离为第二间距；将拉伸后的所述弹性膜的第一表面覆盖在目标件上，以将所述至少两个待转移芯片以所述第二间距转移至所述目标件。解决现有芯片巨量转移问题，实现了提高转移效率和降低转移成本的效果，同时还实现了芯片转移时的密度调整。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：将弹性膜的第一表面覆盖于至少两个待转移芯片的第一侧，以吸附具有第一间距的所述至少两个待转移芯片，所述弹性膜的第一表面涂覆有胶层；在至少一个方向上拉伸所述弹性膜以调整所述至少两个待转移芯片的之间距离为第二间距；将拉伸后的所述弹性膜的第一表面覆盖在目标件上，以将所述至少两个待转移芯片以所述第二间距转移至所述目标件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
