[发明专利]发光二极管及太阳能电池老化测试系统在审

专利信息
申请号: 201910728222.8 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN110763969A 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 狄大卫;连亚霄 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/30;G01M11/02;H02S50/10
代理公司: 22100 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 代理人: 白冬冬
地址: 310013 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种发光二极管及太阳能电池老化测试系统,属于电子技术应用及新型能源测试领域。本发明的目的是通过各个电子模块之间的数据通讯、实时监控、实时控制,从而对可兼容发光二极管和太阳能电池老化进行测试的发光二极管及太阳能电池老化测试系统。本发明分为基础模块和扩展模块;包括电流及电压采样电路、短路保护电路、快门控制电路、中控系统控制加热炉缓冲器电路、加热炉驱动的电路、过温及湿度检测探头电路、中控系统连接相关通讯电路、步进电机限位电路、多个电源转换电路、中控系统核心主控芯片。本发明可对多个器件同时进行测试、降低了设备的成本,也降低了不同人员测试时由于主观因素带来的误判概率,另外可进行大批量测试,可大大提高测试效率、缩短实验周期。
搜索关键词: 发光二极管 太阳能电池 中控系统 测试 加热炉 老化测试系统 电路 电压采样电路 电源转换电路 电子技术应用 短路保护电路 快门控制电路 湿度检测探头 缓冲器电路 步进电机 测试领域 测试效率 电子模块 多个器件 核心主控 基础模块 扩展模块 实时监控 实时控制 实验周期 数据通讯 通讯电路 误判概率 限位电路 新型能源 主观因素 兼容 老化 芯片 驱动
【主权项】:
1.一种发光二极管及太阳能电池老化测试系统,其特征在于:分为基础模块和扩展模块;包括电流采样电路、电压采样电路、短路保护电路、第一快门控制缓冲器电路、第二快门控制缓冲器电路、快门驱动电路、第一中控系统控制加热炉缓冲器电路、第二中控系统控制加热炉缓冲器电路、加热炉驱动的电路、过温检测电路、湿度检测探头电路、中控系统与亮度计通讯ADM2484电路、中控系统与X轴步进电机通讯电路、中控系统与Y轴步进电机通讯电路、中控系统与人机交互模块通讯电路、中控系统模块与工业摄像头通讯电路、中控系统控制补光灯电路、中控系统与太阳能模拟光源通讯电路、步进电机限位电路、220V-AC转24V-DC电路、中控系统与光源功率校正模块通讯电路、亮度探测探头电路、24V转15V电路、15V转5V电路、5V隔离电源实现电路、5V转3.3V电路、数据存储电路、中控系统核心主控芯片、过压保护电路;/n电流采样电路 :电阻R31的1脚、R29的1脚接Vout_L输入端,电阻R31的2脚、电阻R32的1脚接GND,电阻R29的2脚、电阻R28的1脚接运放U4B的反向输入端6脚,电阻R32的2脚、R35的1脚接运放U4B的正向输入端5脚,电阻R35的2脚接GND,电阻R28的2脚接运放U4B的7脚输出端,并接中控系统核心主控芯片U20的40脚;/n电压采样电路:U15的12脚、13脚、14脚、15脚、16脚分别接中控系统核心主控芯片U20的33脚、18脚、17脚、16脚、15脚,U15的1脚、7脚、9脚、直流滤波电容C31的1脚、无极性滤波电容C30的1脚接+5V,直流滤波电容C31的2脚、无极性滤波电容C30的2脚接GND,U15的10脚、11脚接GND,2脚、3脚作为电压信号采集输入端,直流滤波电容C37的1脚、无极性滤波电容C36的1脚接U17的2脚输入+12V,U17的8脚接C38的1脚,直流滤波电容C37的2脚、无极性滤波电容C36的2脚、U17的4脚、无极性滤波电容C38的2脚、滑动变阻器R56的1脚接GND,U21的5脚接滑动变阻器R56的2脚,U21的6脚接滑动变阻器R56的3脚输出稳定基准电压,接电阻R53的1脚,R53的2脚、电容C34的1脚、电容C35的1脚接U15的8脚,电容C34的2脚、C35的2脚接GND;/n短路保护电路:电阻R10的2脚、R9的1脚、R12的1脚和电容C10的1脚连接,电容C10的2脚和电阻R9的2脚接GND,电阻R11的2脚、R14的1脚、电阻R13的1脚和电容C11的1脚连接,电容C11的2脚和电阻R14的2脚接GND,电阻R12的2脚、R7的1脚、C4的1脚接运放U2A的反向输入端2脚,电阻R13的3脚、R15的1脚接运放U2A的正向输入端3脚,电阻R15的2脚接GND,电容C4的2脚、电阻R7的2脚接运放U2A的输出脚1脚,稳压二极管D2的1脚接运放U2A的1脚,接中控系统核心主控芯片中U20的42脚,D2的2脚接GND;/n第一快门控制缓冲器:缓冲芯片U6的2脚、4脚、6脚、8脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的23脚、24脚、25脚、26脚,缓冲芯片的2脚接电阻R20的1脚,4脚接电阻R21的1脚,6脚接电阻R23的1脚,8脚接电阻R24的1脚,电阻R20的2脚、R21的2脚、R23的2脚、R24的2脚接GND,U6的1脚、10脚、19脚接GND,U6的20脚接+5V,18脚、16脚、14脚、12脚分别接快门驱动电路;其中U6的18脚接快门驱动电路中R8的1脚;/n第二快门控制缓冲器:缓冲芯片U9的2脚、4脚、6脚、8脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的29脚、30脚、31脚、32脚,缓冲芯片的2脚接电阻R30的1脚,4脚接电阻R33的1脚,6脚接电阻R34的1脚,8脚接电阻R36的1脚,电阻R30的2脚、R33的2脚、R34的2脚、R36的2脚接GND,U9的1脚、10脚、19脚接GND,U9的20脚接+5V,18脚、16脚、14脚、12脚分别接快门驱动电路;/n快门驱动电路:R8的1脚接第一快门控制缓冲器中U6的18脚,电阻R8的2脚接三极管Q1的基极2脚,三极管Q1的1脚、二极管D1的2脚接继电器K1的5脚,二极管D1的1脚、继电器K1的2脚接+5V,Q1的发射极3脚接GND,继电器K1的6脚接快门电极,继电器K1的3脚接限流电阻R4的1脚,限流电阻R4的2脚接GND;/n第一中控系统控制加热炉缓冲器电路:缓冲芯片U14的2脚、4脚、6脚、8脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的97脚、98脚、1脚、2脚,缓冲芯片U14的2脚接电阻R47的1脚,4脚接电阻R48的1脚,6脚接电阻R49的1脚,8脚接电阻R50的1脚,电阻R47的2脚、R48的2脚、R49的2脚、R50的2脚接GND,缓冲芯片U14的1脚、10脚、19脚接GND,U14的20脚接+5V,缓冲芯片U14的12脚、14脚、16脚、18脚分别接加热炉驱动;/n第二中控系统控制加热炉缓冲器:缓冲芯片U18的2脚、4脚、6脚、8脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的3脚、4脚、5脚、38脚,缓冲芯片U18的2脚接电阻R60的1脚,4脚接电阻R62的1脚,6脚接电阻R63的1脚,8脚接电阻R64的1脚,电阻R60的2脚、R62的2脚、R63的2脚、R64的2脚接GND,缓冲芯片U18的1脚、10脚、19脚接GND,U18的20脚接+5V,缓冲芯片U18的12脚、14脚、16脚、18脚分别接加热炉驱动;/n加热炉驱动电路:R59的1脚接第一中控系统控制加热炉缓冲器电路中U14的18脚,电阻R59的2脚接三极管Q2的基极2脚,三极管Q2的1脚、二极管D5的2脚接继电器K2的5脚,二极管D5的1脚、继电器K2的2脚接+5V,Q2的发射极3脚接GND,继电器K2的6脚接加热源,继电器K2的3脚接限流电阻R58的1脚,限流电阻R58的2脚接GND;/n过温检测电路:热敏电阻R37的1脚接+12V,热敏电阻R37的2脚、电阻R39的1脚接运放U12A的反向输入端2脚,电阻R39的2脚、电阻R41的1脚接GND,电阻R41的3脚接+12V,电阻R41的2脚接R43的1脚,电阻R43的2脚接运放U12A的正向输入端3脚,运放的输出脚1脚接中控系统核心主控芯片中U20的39脚;/n湿度检测探头电路:U21的1脚接15V转5V电路中U8的2脚+5V,U21的2脚、电阻R66的1脚接中控系统核心主控芯片中U20的77脚,电阻R66的2脚接+5V,U21的3脚接GND;/n中控系统与亮度计通讯ADM2484电路:通讯芯片U1的3脚、4脚、5脚、6脚接中控系统核心主控芯片中U20的69脚、35脚、67脚、68脚,U1的3脚接电阻R1的1脚,4脚接电阻R2的1脚,5脚接电阻R3的1脚,U1的6脚接电阻R6的1脚,电阻R1的2脚、R2的2脚、R3的2脚、R6的2脚接+5V,U1的2脚、8脚接GND,U1的1脚接C2的1脚接+5V,C2的2脚接GND;U1的16脚接5V隔离电源实现电路的U3的9脚和C3的1脚,C3的2脚接U1的15脚接GND_2,U1的15脚、9脚接5V隔离电源实现电路中U3的11脚,U1的11脚、14脚接电阻R5的1脚、接插件P1的4脚,U1的12脚、13脚接电阻R5的2脚、接插件P1的2脚,接插件P1的1脚接+5V_2,P1的3脚接GND_2;/n中控系统与X轴步进电机通讯电路:缓冲芯片U13的2脚、3脚、4脚、5脚、6脚、7脚、8脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的95脚、51脚、96脚、52脚、47脚、48脚,缓冲芯片的2脚接电阻R40的1脚,4脚接电阻R42的1脚,6脚接电阻R44的1脚,8脚接电阻R45的1脚,电阻R40的2脚、R42的2脚、R44的2脚、R45的2脚接GND,U13的1脚、10脚、19脚接GND,U13的20脚接+5V,18脚、16脚、14脚接接插件P4的4脚、5脚、6脚,P4的1脚接+15V,2脚接GND,3脚接+5V,U13的12脚接P5的1脚,P5的2脚接GND;/n中控系统与Y轴步进电机通讯电路:缓冲芯片U16的2脚、3脚、4脚、5脚、6脚、7脚、8脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的81脚、85脚、82脚、86脚、83脚、84脚,缓冲芯片的2脚接电阻R52的1脚,4脚接电阻R54的1脚,6脚接电阻R55的1脚,8脚接电阻R57的1脚,电阻R52的2脚、R54的2脚、R55的2脚、R57的2脚接GND,U16的1脚、10脚、19脚接GND,U16的20脚接+5V,18脚、16脚、14脚接接插件P7的4脚、5脚、6脚,P7的1脚接+15V,2脚接GND,3脚接+5V,U16的12脚接P9的1脚,P9的2脚接GND;/n中控系统与人机交互模块通讯电路:U11的9脚、10脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的93脚、92脚,U11的7脚、8脚分别接DWEN接口J3的2脚、3脚,J3的3脚接GND,J3连接到DWEN屏幕;C25的1脚接+5V,2脚接芯片U11的2脚;C28的1脚接芯片U11的6脚,C28的2脚接GND;U11的15脚接GND,电容C27的1脚接U11的1脚,2脚接U11的3脚;电容C26的1脚接U11的4脚,2脚接U11的5脚;/n中控系统模块与工业摄像头通讯电路:R25的1脚、R26的1脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的70脚、71脚,电阻R25的2脚接USB座的2脚,电阻R26的2脚、电阻R27的2脚接USB座的3脚,电阻R27的1脚接+3.3V,USB座的1脚接15V转5V电路中U8的2脚+5V,5脚接GND;/n中控系统控制补光灯电路:电阻R72的1脚接中控系统核心主控芯片中U20的9脚,电阻R72的2脚、电阻R73的1脚接三极管Q4的基极2脚,电阻R73的2脚接GND,+12V通过防反接二极管D8接到R70的1脚和R71的1脚,电阻R70的2脚接三极管Q4的1脚、三极管Q3的2脚,电阻R71的2脚接三极管Q3的1脚,三极管Q4的3脚、三极管Q3的3脚接GND,R71的2脚接接插件J4的1脚,J4的2脚接GND;/n中控系统与太阳能模拟光源通讯电路:U22的7脚、8脚分别接DB9接口J6的2脚、3脚,J6的5脚接GND,J6连接到亮度计;U22的9脚、10脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的34脚、63脚,电容C43的1脚接+5V,2脚接GND;C45的1脚接+5V,2脚接芯片U22的2脚;C46的1脚接芯片U22的6脚,C46的2脚接GND;U22的15脚接GND,电容C44的1脚接U22的1脚,2脚接U22的3脚;电容C47的1脚接U22的4脚,2脚接U22的5脚;/n步进电机限位电路:电阻R38的1脚接+5V,R38的2脚、电容C29的1脚接限位传感器接口P3的1脚,电容C29的2脚、限位传感器接口P3的2脚接GND;/n220V-AC转24V-DC电路:220V_L接保险丝F1的1脚,F1的2脚、CBB电容C5的1脚接工频滤波器L1的1脚,220V_N接CBB电容C5的2脚、工频滤波器L1的2脚,工频滤波器L1的3脚、对地滤波电容C1的1脚接AC-DC模块M1的1脚,工频滤波器L1的4脚、对地滤波电容C9的1脚接AC-DC模块M1的2脚,对地滤波电容C1的2脚、C9的2脚接PGND,M1的3脚、直流滤波电容C7的1脚接直流滤波电感L2的1脚,直流滤波电感L2的2脚、直流滤波电容C8的1脚、无极性电容C6的1脚接开关接插件J1的1脚,AC-DC模块M1的4脚、直流滤波电容C7的2脚、直流滤波电容C8的2脚、无极性电容C6的2脚接GND,接插件J1的2脚接输出+24V;/n中控系统与光源功率校正模块通讯电路:U5的1脚、4脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的90脚、91脚,U5的2脚接GND,3脚接旁路电容C15的1脚接+3.3V,电容C15的2脚接GND,U5的8脚接GND,7脚接电阻R19的1脚、接插件J2的1脚,6脚接电阻R19的2脚、接插件J2的2脚,接插件J3的3脚接GND;/n亮度探测探头电路:运放U19A的1脚输出信号到中控系统核心主控芯片中U20的43脚,C41的1脚和C42的1脚接+12V,C41的2脚和C42的2脚接GND;二极管D6用于防止反接,D6的1脚接+12V,D6的2脚接光强探测器D7的1脚,光强探测器D7的2脚接GND,光强探测器D7的3脚接滤波电容C40的1脚,C40的2脚接电阻R67的1脚、R65的1脚,R67的2脚接GND,R65的2脚接运放U19A的正向输入端3脚,R69的1脚与R68的1脚接到运放U19A的反向输入端2脚,R69的2脚接GND,R68的2脚接运放U19A的1脚,运放U19A的4脚接GND,8脚接+5V,电阻R65、运放U19A、电阻R69、R68构成正比例放大电路;/n24V转15V电路:+24V接二极管D3的1脚,D3的2脚、稳压管D4的1脚、滤波电容C16的1脚接三端稳压器U7的1脚,稳压管D4的2脚、滤波电容C16的2脚、三端稳压器U7的2脚、滤波电容C14的2脚接GND,滤波电容C14的1脚接U7的3脚输出+15V,接15V转5V电路中U8的3脚;/n15V转5V电路:滤波电容C17的1脚、滤波电容C18的1脚接三端稳压器U8的3脚,滤波电容C19的1脚、滤波电容C20的1脚接三端稳压器U8的2脚输出+5V,滤波电容C17的2脚、C18的2脚、C19的2脚、C20的2脚、U7的1脚接GND;/n5V隔离电源实现电路:+5V接15V转5V电路中U8的2脚,直流滤波电容C12的1脚接电源隔离模块U3的14脚,直流滤波电容C12的2脚、电源隔离模块U3的1脚接GND,电源隔离模块U3的9脚接直流滤波电容C13的1脚输出隔离+5V,电源隔离模块U3的11脚接直流滤波电容C13的2脚输出隔离GND;/n5V转3.3V电路:+5V接15V转5V电路中U8的2脚,直流滤波电容C21的1脚、C22的1脚接三端稳压器U10的3脚,直流滤波电容C23的1脚、C24的1脚接三端稳压器U10的2脚输出+3.3V,直流滤波电容C21的2脚、C22的2脚、C23的2脚、C24的2脚、三端稳压器U10的1脚接GND;/n数据存储电路:数据存储接口U23的7脚、5脚、2脚、1脚分别接中控系统核心主控芯片中U20的56脚、57脚、58脚、59脚,电阻R77的1脚接中控系统核心主控芯片中U20的55脚;R77的2脚接U23的10脚,及电阻R76的1脚,R76的2脚接+3.3V,U23的4脚接+3.3V,6脚、3脚接地,1脚通过上拉电阻R78接到+3.3V,12脚、13脚、14脚、15脚接地;/n中控系统核心主控芯片:主控芯片采用STM32F103VBT6,主控芯片U20的23脚、24脚、25脚、26脚分别接第一快门控制缓冲器电路中U6的2脚、4脚、6脚、8脚,29脚、30脚、31脚、32脚分别接第二快门控制缓冲器电路中U9的2脚、4脚、6脚、8脚,67脚、68脚、69脚、35脚分别接中控系统与亮度计通讯ADM2484电路中U1的5脚、6脚、3脚、2脚,70脚、71脚接中控系统模块与工业摄像头通讯电路中P2的2脚、3脚,72脚、76脚接程序下载口SWDIO和SWDCLK,77脚接湿度检测探头电路中U21的2脚,90脚、91脚接中控系统与光源功率校正模块通讯电路中CAN芯片U5的1脚、4脚,92脚、93脚接中控系统与人机交互模块通讯电路中U11的10脚、9脚,95脚、96脚、47脚、48脚、51脚、52脚分别接中控系统与X轴步进电机通讯电路中U13的2脚、4脚、6脚、8脚、3脚、5脚,81脚、82脚、83脚、84脚、85脚、86脚分别接中控系统与Y轴步进电机通讯电路中U16的2脚、4脚、6脚、8脚、3脚、5脚,12脚、13脚接晶振XTAL1和XTAL2,94脚接下拉电阻R74,14脚接上拉电阻R75,20脚接地,21脚接+3.3V,55脚、56脚、57脚、58脚、59脚分别接数据存储电路中U23的10脚、7脚、5脚、2脚、1脚,15脚、16脚、17脚、18脚、33脚分别接电压采样电路中U15的16脚、15脚、14脚、13脚、12脚,34脚、63脚分别接中控系统与太阳能模拟光源通讯电路中U22的9脚、10脚,9脚接中控系统控制补光灯电路中R72的1脚,97脚、98脚、1脚、2脚分别接第一中控系统控制加热炉缓冲器电路中U14的2脚、4脚、6脚、8脚,3脚、4脚、5脚、38脚分别接第二中控系统控制加热炉缓冲器电路中U18的2脚、4脚、6脚、8脚,39脚接过温检测电路中U12的1脚,40脚接电流采样电路中U4B的7脚,42脚接短路保护电路中U2的1脚,43脚接亮度探测探头电路中U19的1脚;/n过压保护电路:电阻R16的1脚接Vout_H,电阻R16的2脚、R17的1脚接运放U4A的反向输入端2脚,电阻R17的脚接GND,电阻R18的1脚接+12V,3脚接GND,2脚接电阻R22的1脚,电阻R22的2脚接运放U4A的正向输入端3脚,U4A的输出端接中控系统核心主控芯片中U20的41脚。/n
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  • 本发明属于陷阱能级分布测量领域,提供一种表面陷阱能级分布测试装置及光电导分析方法,用以实现样品表面陷阱能级分布测量。本发明测试装置,包括真空恒温腔体、真空泵、温度控制系统、固体激光器、数字电压电流源表及计算机;通过数字电压电流源表在待测样品两端施加一个恒定的预设电压,测量得到暗电流;然后,开始光电导测试,测量得到光电衰减曲线;最后根据光电导衰减曲线计算样品表面陷阱能级分布。本发明中恒温腔体提供一个黑暗、恒温的真空环境,使整个测量过程中有效避免温度、气氛和外界光源的干扰,大大提高测量精度;同时采用亚禁带激光激发得到的光电导曲线,能够准确反应禁带内缺陷分布,排除本征缺陷的影响。
  • 一种声表面波器件的声电放大效应检测装置及检测方法-201810091316.4
  • 罗为;傅邱云;杨涛;郑志平 - 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
  • 2018-01-30 - 2020-02-14 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种声表面波器件的声电放大效应检测装置及检测方法,检测装置包括:信号发生单元产生输入射频信号并传输至声表面波器件;气体腔通入不同化学性质的气体以改变声表面波器件中气敏薄膜的载流子浓度;信号检测单元接收声表面波器件在与气体腔中气体作用下对输入射频信号进行放大处理后输出的输出射频信号;以及信号处理单元,其输入端依次与信号发生单元的第二输出端和信号检测单元的输出端连接,根据输出射频信号与输入射频信号的比值关系来判断该声表面波器件是否存在对声表面波进行放大处理。该检测装置通过通入敏感气体,改变声表面波器件中气敏薄膜中载流子的浓度,更好的检测出声波面波器件中声电放大效应。
  • 一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法-201711139435.4
  • 汤光敏;张顺勇 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2017-11-16 - 2020-02-14 - G01R31/26
  • 本发明涉及一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法,所述方法包括如下步骤:通过电压‑电流测量确定位线结构中两根短接的位线;将所述位线结构从背面处理,减薄背面硅基层,直至栓塞层即将露出;研磨掉剩余的硅基层,露出栓塞层;跟踪所述位线结构的版图走向,找出与所述两根短接的位线分别连接的栓塞层;在两个栓塞层上分别沉积金属盘;使用扫描近场光学显微镜的两个探针,分别扎在两个所述金属盘上,使用所述扫描近场光学显微镜的激光照射所述位线结构,抓取热点,并在所述热点附近打标记;在所述位线结构的背面二次研磨,直到将所述位线结构中的第一通孔磨掉,然后使用扫描电镜观察所述标记的附近区域,即可得到两根位线的短接位置。
  • 一种智能充电模块输出二极管故障检测方法及装置-201710744913.8
  • 王春华;刘永东;万新航;李志刚 - 深圳奥特迅电力设备股份有限公司;中国电力企业联合会
  • 2017-08-25 - 2020-02-14 - G01R31/26
  • 本发明涉及一种智能充电模块输出二极管故障的检测方法及装置,该方法包括以下步骤:获取智能充电模块组中的智能充电模块在待机状态的输出残余电压值,设置某一智能充电模块为工作状态,判定其输出电压对其它智能充电模块的残余电压的影响,利用智能充电模块输出二极管的工作特性和故障模式,判定智能充电模块是否有输出二极管故障。本发明解决智能充电模块组在出现智能充电模块输出二极管故障时,使用会导致高压直流接触器出现粘连故障的问题,并能够提前识别有故障的智能充电模块和智能充电模块组,提高定位效率和减少使用风险。
  • LED检查装置-201920416980.1
  • 山口勝 - 伟时电子股份有限公司
  • 2019-03-29 - 2020-02-14 - G01R31/26
  • 本实用新型公开了一种LED检查装置,包括电源控制盒、固定底板、CCD测量仪器和显示器,固定底板上设有单轴组件和控制单轴组件沿一个方向往返运动的PLC控制器,单轴组件上固定有产品放置台,产品放置台能够随单轴组件相对固定底板往返运动;CCD测量仪器和显示器设于固定底板的一侧外并分别受控于PLC控制器,且CCD测量仪器的CCD镜头位于产品放置台上方;产品放置台一侧外设有用于和CCD测量仪器的基准对准的定位基准。该LED检查装置通过PLC控制器可以智能控制单轴组件的移动距离,满足LED检查时的各个LED灯的变换检查,从而有效的检测到LED的不良,避免漏检、误检,减轻了作业负担,提升了工作效率。
  • IGBT模块测试装置-201911065915.X
  • 韩波;刘天宇;冯建鑫 - 汉斯自动化科技(江苏)有限公司
  • 2019-11-04 - 2020-02-11 - G01R31/26
  • 本发明涉及测试装置技术领域,且公开了一种IGBT模块测试装置,包括支撑板,所述支撑板上表面中间部位固定连接有调控装置,支撑板上表面左端固定连接有测试显示器,支撑板上表面右端固定连接有挡板,支撑板右端开设有放置槽,所述放置槽内前侧壁和内后侧壁均固定连接有滑轨,所述滑轨内端滑动连接有滑块。该IGBT模块测试装置,通过移动板、弹力弹簧、滑轨、滑块、挡板和挤板的相互配合作用,可以对需要测试的IGBT模块进行固定,通过伺服电机、转动轴、第一齿轮、第二齿轮、主轴、限位管、螺纹杆、移动管、连接板、连接块、限位弹簧、第一弯板的第二弯板的相互配合作用,可以对测试元件连接端进行自动的调控。
  • 一种电容器自动化检测的夹具及其工作方法-201911257518.2
  • 何建国;卓伟 - 常州市天宁天达电子设备有限公司
  • 2019-12-10 - 2020-02-11 - G01R31/26
  • 本发明属于夹具技术领域,具体涉及一种电容器自动化检测的夹具及其工作方法。本电容器自动化检测的夹具包括:底板、贯通底板的压板组件以及位于底板的底部设置的倾斜驱动机构;所述倾斜驱动机构适于驱动压板组件夹持位于底板上的第一电容器,并使第一电容器的上测试端与压板组件上方的压板电极贴合,该第一电容器的下测试端与底板上的探针柱相连。本发明的电容器自动化检测的夹具及其工作方法,电容器被夹持后自动检测,无需人力操作,提高了检测效率。
  • 一种测定LED寿命的方法及装置-201711450634.7
  • 王巧;陈志涛;刘宁炀;王君君;贺龙飞;林丹;胡金花 - 广东省半导体产业技术研究院
  • 2017-12-27 - 2020-02-11 - G01R31/26
  • 本发明涉及半导体照明及光电测试技术领域,提供一种测定LED寿命的方法及装置,所述方法包括:获取测试样本在第一条件下的测量数据;根据所述测量数据,拟合出所述测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线;根据所述测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线,找出所述内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度,并将所述预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。本发明中,测试样本的测量数据的获取操作简单、测试耗时短,整个测试可以在一天或数小时内完成,与现有技术需要7~10天相比,测试效率有极大地提升。
  • 基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统-201920223635.6
  • 朱袁正;周锦程 - 无锡新洁能股份有限公司
  • 2019-02-22 - 2020-02-11 - G01R31/26
  • 本实用新型属于功率半导体器件测试技术领域,涉及基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统,包括测试电路板、信号发生器和红外热成像仪,用于安装被测器件T的测试电路板与信号发生器连接,所述红外热成像仪的观测窗口对准被测器件T,用于拍摄及显示测试过程中被测器件T的温度分布图像;本实用新型半导体功率器件动态测试系统能够监测功率器件在测试中任一时间点器件的热分布,通过形成不同时间点的热分布图像,能够获得功率器件测试过程中电流转移的全过程,从而能够了解到器件所有存在的薄弱点;本测试系统能够应用于大多数功率器件,适用性广,对提升器件设计能力、提升产品竞争力有重大意义。
  • 一种MOSFET管导通电阻参数检测电路-201920268116.1
  • 黄雷 - 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)
  • 2019-02-28 - 2020-02-11 - G01R31/26
  • 本实用新型公开了一种MOSFET管导通电阻参数检测电路,包括电流采集模块、电压采集模块、电源模块、控制器和功率电阻R1;功率电阻R1的一端与待检测MOSFET管的漏极D连接,其另一端与电源模块连接,待检测MOSFET管的栅极G受控制器的输出端I/O触发导通,其源极S接地,电流采集模块的采集端用于采集流过功率电阻R1的电流信号,其输出端与控制器连接,电压采集模块的采集端用于采集待检测MOSFET管的两端的电压信号,其输出端与控制器连接,具有检测MOSFET管导通电阻参数的主要功能。
  • 一种晶闸管导通特性检测装置-201920338288.1
  • 李长征 - 浩明科技(中山)有限公司
  • 2019-03-15 - 2020-02-11 - G01R31/26
  • 本实用新型公开了一种晶闸管导通特性检测装置,包括至少一能够放置待测的晶闸管测试工位第一检测端、第二检测端、第三检测端、可调触发单元、正反向切换单元以及检测单元,第一检测端、第二检测端、第三检测端分别对应地与晶闸管各个引脚对接,可调触发单元与第三检测端连接以输出或者关断触发电流;正反向切换单元包括与外部电源连接的输入端、与第一检测端连接的第一输出端以及第二检测端连接的第二输出端,正反向切换单元能够向第一输出端或者第二输出端输出正向电压;检测单元检测晶闸管的导通特性;本设计能够模拟出晶闸管的工作状态,通过检测单元检测出晶闸管的工作特性,结构简单,操作方便。
  • 发光二极管及太阳能电池老化测试系统-201910728222.8
  • 狄大卫;连亚霄 - 浙江大学
  • 2019-08-08 - 2020-02-07 - G01R31/26
  • 一种发光二极管及太阳能电池老化测试系统,属于电子技术应用及新型能源测试领域。本发明的目的是通过各个电子模块之间的数据通讯、实时监控、实时控制,从而对可兼容发光二极管和太阳能电池老化进行测试的发光二极管及太阳能电池老化测试系统。本发明分为基础模块和扩展模块;包括电流及电压采样电路、短路保护电路、快门控制电路、中控系统控制加热炉缓冲器电路、加热炉驱动的电路、过温及湿度检测探头电路、中控系统连接相关通讯电路、步进电机限位电路、多个电源转换电路、中控系统核心主控芯片。本发明可对多个器件同时进行测试、降低了设备的成本,也降低了不同人员测试时由于主观因素带来的误判概率,另外可进行大批量测试,可大大提高测试效率、缩短实验周期。
  • 一种用于LED灯条快速检测光电性装置-201911112979.0
  • 黄芸丹 - 杭州晁松科技有限公司
  • 2019-11-14 - 2020-02-07 - G01R31/26
  • 本发明涉及LED灯技术领域,且公开了一种用于LED灯条快速检测光电性装置,包括底座,所述底座的上方固定安装有机架,机架的中部固定安装有固定块,固定块的下方设置有转盘,转盘的下方固定安装有伸缩杆,伸缩杆的下部设置有挡块,挡块的内腔且位于伸缩杆上活动插接有齿条,伸缩杆下部且位于齿条的左侧和右侧均转动连接有不完全齿轮盘,底座的上方转动连接有长转轴,底座的上方且位于长转轴的左侧固定安装有驱动装置。该用于LED灯条快速检测光电性装置,通过传送带与放置盘配合输送灯泡,驱动装置带动放置盘旋转,表笔检测,配合推杆推出灯泡,从而达到了检测效率高、减少了额外的成本、节约能源、高效分类的效果。
  • 矩阵式LED前照灯测试系统及方法-201610900441.6
  • 宋旭波;陈奇才 - 武汉通畅汽车电子照明有限公司
  • 2016-10-13 - 2020-02-07 - G01R31/26
  • 本发明提供一种矩阵式LED前照灯测试系统及方法,其中矩阵式LED前照灯测试系统包括一控制单元、一第一故障输入模块、一第二故障输入模块和一电压测量模块。其中,所述控制单元与一工控机通讯连接;所述第一故障输入模块用于接受所述控制单元控制地向一矩阵式LED前照灯系统加入一外部线束故障;所述第二故障输入模块用于接受所述控制单元控制地向所述矩阵式LED前照灯系统加入一负载线束故障;所述电压测量模块用于测量所述矩阵式LED前照灯系统的电压数据并将所述电压数据反馈给所述控制单元。本发明的一种矩阵式LED前照灯测试系统及方法,可对矩阵式LED汽车前照灯进行测试,以提高汽车行驶的可靠性和安全性。
  • 一种BGA封装测试插座的工作方法-201810070224.8
  • 叶伟然 - 宁波利特舜电气有限公司
  • 2016-03-08 - 2020-02-07 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种BGA封装测试插座的工作方法,包括固定BGA封装的第一支撑部件、支撑BGA封装的第二支撑部件、固定插座针的第三支撑部件;所述第一支撑部件固定在第二支撑部件上;第二支撑部件固定在第三支撑部件上;所述第一支撑部件和第二支撑部件为方形框;所述第一支撑部件四侧壁上部开设有侧卧的“凸”字形空腔;所述驱动装置设置在所述第一支撑部件空腔内;本发明操作简单,方便封装的放置,减少操作人员的工作强度,提高封装测试的效果。
  • 一种声光MOS漏电故障报警器-201920343334.7
  • 黄玲玲 - 天长市龙亨电子有限公司
  • 2019-03-19 - 2020-02-07 - G01R31/26
  • 本实用新型公开了漏电报警设备技术领域的一种声光MOS漏电故障报警器,包括MOS、万用表和电阻,所述万用表的内部通过旋转轴安装有指针,所述万用表的内部刻有刻度盘,所述MOS的顶部插接有栅极,所述MOS的底部插接有漏极和源极,所述漏极位于所述源极的左侧,所述万用表的顶部插接有两个第一导线,两个所述第一导线的顶部分别通过绕接安装有第一连接笔和第二连接笔。该声光MOS漏电故障报警器的设置,结构设计合理,使用万用表和电阻对MOS的漏电进行检测,将万用表的两个连接笔分别与漏极和源极接触,万用表能够对MOS内部的微小的电流进行检测,从而及时的对电路进行处理,防止电路中的静态功耗增加。
  • 一种半导体晶片测试设备-201920700491.9
  • 李锦光 - 广东全芯半导体有限公司
  • 2019-05-16 - 2020-02-07 - G01R31/26
  • 本实用新型公开了一种半导体晶片测试设备,顶板上表面居中位置开设的圆槽内同心转动套接有第一转盘和第二转盘,第一转盘和第二转盘的顶端分别沿径向固定连接有第一支撑杆和第二支撑杆,第一支撑杆和第二支撑杆上分别滑动连接有测试头端子,第一转盘和第二转盘均为圆盘状结构,且第二转盘转动套接在第一转盘的内部,第二转盘中心圆孔的下方设置有用于放置待测晶片的放置板;将待测晶片放置在放置板上,将测试头分别连接在测试头端子上,测试头端子不仅能够随第一转盘和第二转盘进行转动,而且能够沿第一支撑杆和第二支撑杆进行滑动,以达到对晶片表面进行灵活测试的效果。
  • 一种二极管反装测试台-201920859106.5
  • 卢杭杰 - 宁波明禾新能源科技有限公司
  • 2019-06-10 - 2020-02-07 - G01R31/26
  • 本实用新型涉及二极管测试台技术领域,尤其涉及一种二极管反装测试台,包括放置台,放置台的顶部沿一侧的边缘设置有固定座,固定座上铰接有盖板,放置台沿台面设置有呈阵列式分布的通槽,通槽的槽底放置有第一铜触片,每所述通槽的顶端分别设置有导向管座,且导向管座内插设有二极管,盖板朝向放置台的台面的一侧板面上开设有呈阵列式分布的凹槽,每所述凹槽的槽底均设置有第二铜触片,放置台上设置有安装架,本实用新型解决了二极管在人工检测其正反向的过程中,工作效率低的问题,可以批量性地检测二极管的正反向状态,检测过程简单方便,为人工检测提供了便利,大大提升了检测的工作效率。
  • 一种功率MOS器件温升和热阻构成测试装置和方法-201610900251.4
  • 冯士维;石帮兵;史冬;何鑫;张亚民 - 北京工业大学
  • 2016-10-16 - 2020-02-04 - G01R31/26
  • 一种功率MOS器件温升和热阻构成测试装置和方法属于功率MOS器件可靠性设计和测试领域。本发明设计了被测功率MOS器件漏‑源电压和栅‑源电压信号控制的快速切换开关;漏‑源大电流工作的快速切换开关;采用FPGA设计了漏‑源电压、栅‑源电压和漏‑源电流的采集和设定功能。测试中,首先得到温敏参数曲线;然后,给器件施加工作电流,使得器件升温,待器件输出功率达到稳态后,断开工作电流,接通测试电流,采集功率MOS器件源‑漏寄生二极管的结电压,对应得到器件结温曲线,再使用结构函数法处理分析,就可得到功率MOS器件的热阻构成。本发明解决测试仪器价格高昂,测量技术操作复杂,测量周期长的问题。
  • 一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法-201710749794.5
  • 郭春生;蔡文漪;姜舶洋;罗琳 - 北京工业大学
  • 2017-08-28 - 2020-02-04 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法,利用IGBT在高温反偏试验中的漏电流与温度的对应关系,对实验中的器件结温进行实时监控的方法。且IGBT漏电流以器件内部MOS部分漏电流为主,在高温反偏试验前需先绘制校温曲线:栅极接地或栅极‑发射极短接,对器件集电极‑发射极加短脉冲电压,在不产生自升温的条件下得到器件漏电流与结温的对应关系,绘制校温曲线图。在高温反偏试验中实时测量器件的漏电流,将漏电流值与校温曲线作比对,可以直接读出器件的结温。
  • 一种用于多台测试仪表间的切换系统-201920446270.3
  • 刘全学;徐建东;陈虎强 - 郑州易昕电子科技有限公司
  • 2019-04-03 - 2020-02-04 - G01R31/26
  • 本实用新型涉及一种用于多台测试仪表间的切换系统,包括至少两台测试仪表,每台所述测试仪表均连接至切换系统,切换系统包括MCU、测试信号电路和切换单元,每台测试仪表分别连接一个测试信号电路,所述测试信号电路另一端连接至MCU,所述测试信号电路,用于接收MCU的开始信号,并将开始信号传送至测试仪表,之后接收该测试仪表的结束信号返回至MCU;所述切换单元,用于接收MCU的控制指令,切换不同的测试仪表执行测试操作。本实用新型实现了在测试过程中,对多台测试仪表的切换操作,提高了测试效率。
  • 老化试验用晶闸管投切开关控制装置-201920784002.2
  • 贾慧云;丁丽;赵云龙;刘兴生;张强 - 河南施博尔电力科技有限公司
  • 2019-05-28 - 2020-02-04 - G01R31/26
  • 老化试验用晶闸管投切开关控制装置,包括电源电路,还包括电流采集电路、控制器、驱动电路、晶闸管投切开关和报警电路,晶闸管投切开关包括晶闸管;控制器输出信号到驱动电路,驱动电路驱动晶闸管开关的通断;控制器输出信号到电容器投切电路,电容器投切电路驱动电容器的投切,电流采集电路采集电流信号,并将采集到的电流信号传输到控制器,控制器根据接收到的电流信号输出信号到报警电路。本实用新型结构简单,使用方便,可以轻松对晶闸管开关进行试验,同时可以进行电容器老化的试验,稳定性高,使用起来比较安全。
  • 一种面向多维封装结构芯片可靠性评估方法-201910871610.1
  • 陈新华;苏梅英;贝国平;董子钰;董金勇 - 北京建筑大学;中铭富驰(苏州)纳米高新材料有限公司
  • 2019-09-16 - 2020-01-31 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种面向多维封装结构芯片可靠性评估方法,包括以下步骤:步骤1,选定晶圆上用于可靠性测试的芯片样本数量;步骤2,对选定的芯片样本进行外部损伤检查;步骤3,将通过外部损伤检查后的芯片样本进行预处理实验;步骤4,将预处理实验后的芯片样本分为3组,分别进行温度循环实验、无偏压高加速温湿度应力实验以及压力蒸煮实验;步骤5,对完成步骤4试验后的3组芯片通过失效统计和微观组织结构表征,确定芯片样本的缺陷和寿命预计值。本发明的可靠性评估方法,能够确定不同工作条件对芯片的组织结构变化和内部缺陷形成的影响,确定芯片的可靠性及失效形式,准确评估产品寿命预计值,有助于尽快改进芯片设计和生产中的缺陷。
  • 一种带螺栓外形半导体产品老化测试方法-201610379972.5
  • 袁锟;王明康;代骞;杨辉 - 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
  • 2016-06-01 - 2020-01-31 - G01R31/26
  • 本发明提供了一种带螺栓外形半导体产品老化测试方法,包括如下步骤:①焊接:将导电引线分别焊接在相配合的半导体元器件螺母上;②配对:将相配合且焊接好导电引线的半导体元器件螺母和半导体元器件螺栓以螺纹配对上紧;③安装:将螺纹配对好的半导体元器件安装在弹片夹具型老化测试板的弹片夹具上,安装时将导电引线夹入至弹片夹具中;④测试。本发明通过外接引线,以外接的引线夹入弹片夹具中进行老化测试的方法,能有效降低老化测试板生产厂家的成本,并且有效提高带螺栓外形半导体产品的老化测试良品率,降低因老化测试本身带来的不良影响,从而最终在很大程度上降低老化测试方面的社会整体成本。
  • 半导体测试装置及方法-201710756755.8
  • 张烨;陈亚男;金鹏;郁万成;王占国 - 中国科学院半导体研究所
  • 2017-08-29 - 2020-01-31 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种半导体测试装置及方法,半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片,第一金属片与第二金属片相对设置,用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端,第二金属片接地,电源与该第一金属片相连,为设置在该第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供电压。第一金属片开设有通孔,激光器发出的激光穿过该通孔抵达设置在该第一金属片与第二金属片之间的待测半导体,进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过电流输出端输出。其中,该瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率。如此,可以不必在每次测试时进行金属电镀、光刻等复杂工艺,提高了测试的便捷性。
  • 一种IGBT双脉冲测试电路-201822089770.4
  • 王飞;高文进;胡刚毅;吕凤龙 - 潍柴动力股份有限公司
  • 2018-12-12 - 2020-01-31 - G01R31/26
  • 本申请提供一种IGBT双脉冲测试电路,用于对半桥IGBT电路进行测试,电路包括:第一直流电源;第一电流传感器用于检测半桥IGBT电路中第一开关管的集电极电流;第二电流传感器,用于采集半桥IGBT电路中第二极管的反向恢复电流;第二直流电源,用于控制半桥IGBT电路中第二开关管处于关断状态;第一电压传感器,用于采集所述第二二极管的端电压;第二电压传感器,用于采集所述第一开关管的门极‑发射极电压;第三电压传感器,用于采集所述第一开关管的集‑射极电压;负载电感,负载电感与第一电压传感器并联;数据输出端口,用于输出各个传感器采集到的电流信号和电压信号,该能够快速输出测试结果,提高了测试效率。
  • 一种电子通信用检测装置-201920754290.7
  • 房新荷;朱彦龙;冯笑;张景景 - 郑州铁路职业技术学院
  • 2019-05-24 - 2020-01-31 - G01R31/26
  • 本实用新型公开了一种电子通信用检测装置,包括机架、成品箱、废料槽、检测组件、修剪箱、第二绝缘板、废料储放柜、握把、转动轴、固定轴承和支撑脚,所述机架的底部四周分别通过螺栓固定安装有支撑脚,所述机架的顶部一侧开设有废料槽,所述机架的顶部中央设置有检测组件,所述检测组件包括检测台、隔板、接线板、蓄电池、第一绝缘板、插接座、支脚插孔和导电组件,所述检测台的内部一侧安装有隔板,所述隔板的底部安装有蓄电池,该电子通信用检测装置,结构简单,体积小巧,在使用时,能够将不同支脚长度的二极管进行分类归整,同时,能够对二极管进行检测,鉴别二极管能否正常工作,大大提高了检测的效率。
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