[发明专利]氧化镓晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910706502.9 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110571274B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;吴枫 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化镓晶体管及其制备方法，其中晶体管包括：氧化镓单晶材料，其一侧面开设有沟道；上电极，设置在氧化镓单晶材料的沟道顶上；P型掺杂层，设置在氧化镓单晶材料的沟道底上；栅介质层，设置于P型掺杂层之上；栅电极，设置于所述栅介质层之上；以及下电极，设置于氧化镓单晶材料的另一侧上。本发明的氧化镓晶体管充分利用氧化镓材料本身极宽的禁带宽度、高的理论击穿场强的性能来实现进一步提升MOSFET承载高压能力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓晶体管，包括：/n氧化镓单晶材料，其一侧面开设有沟道；/n上电极，设置在氧化镓单晶材料的沟道顶上；/nP型掺杂层，设置在氧化镓单晶材料的沟道底上；/n栅介质层，设置于P型掺杂层之上；/n栅电极，设置于所述栅介质层之上；/n下电极，设置于氧化镓单晶材料的另一侧上。/n
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