[发明专利]用于碳化硅功率半导体器件上的背侧欧姆接触的碳受控欧姆接触层

摘要

本发明题为“用于碳化硅功率半导体器件上的背侧欧姆接触的碳受控欧姆接触层”。本发明公开了一种半导体功率器件，所述半导体功率器件可包括在其第一表面上形成有有源功率器件的碳化硅SiC层。可在所述SiC层的第二相对表面上形成欧姆接触层，所述欧姆接触层包括具有第一硅化物区域的硅化镍NiSix，所述第一硅化物区域包含第一未反应的碳的析出物并且设置在所述SiC层与第二硅化物区域之间。所述第二硅化物区域可设置在所述第一硅化物区域与第三硅化物区域之间，并且可包含第一难熔金属碳化物的析出物和第二未反应的碳的析出物的混合物。所述第三硅化物区域可包含第二难熔金属碳化物的析出物。可在所述欧姆接触层上形成焊料金属层，其中所述第三硅化物区域设置在所述第二硅化物区域与所述焊料金属层之间。

主权项

1.一种半导体功率器件，包括：/n碳化硅SiC层，在所述碳化硅SiC层的第一表面上形成有功率器件；/n欧姆接触层，所述欧姆接触层形成在所述SiC层的第二相对表面上，所述欧姆接触层包括具有第一硅化物区域的硅化镍NiSix，所述第一硅化物区域包含第一未反应的碳的析出物并且设置在所述SiC层与第二硅化物区域之间，所述第二硅化物区域设置在所述第一硅化物区域与第三硅化物区域之间，并且包含第一难熔金属碳化物的析出物和第二未反应的碳的析出物的混合物，所述第三硅化物区域包含第二难熔金属碳化物的析出物；和/n至少一个焊料金属层，所述至少一个焊料金属层形成在所述欧姆接触层上，其中所述第三硅化物区域设置在所述第二硅化物区域与所述至少一个焊料金属层之间。/n