[发明专利]一种基于Ka波段相控阵雷达应用的延迟线电路在审
申请号: | 201910697557.8 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN110501695A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 张浩;郭健;姚鸿 | 申请(专利权)人: | 苏州芯智瑞微电子有限公司 |
主分类号: | G01S13/02 | 分类号: | G01S13/02;G01S7/02;H03K5/14;H03K5/00 |
代理公司: | 11278 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 田方正<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公布了一种基于Ka波段相控阵雷达应用的延迟线电路版图。在砷化镓衬底上布置有高电子迁移率晶体管。所述一种基于Ka波段相控阵雷达应用的延迟线由四级延迟线单元设计,延迟线单元通过参考支节和延迟支节串联一对单刀双掷开关构成。所述单刀双掷开关由两对高电子迁移率晶体管构成。晶体管栅极与高阻值电阻串联,并且连接直流电压源,构成直流偏置电路。所述单刀双掷开关通过偏置电路改变偏置电压控制射频通路选择,实现高精度延迟目的。本申请还公布了一种集成电路。本申请提供的基于Ka波段相控阵雷达应用的延迟线,具有低损耗、高延迟精度以及紧凑型电路尺寸等优点,适用于Ka波段相控阵雷达应用中。 | ||
搜索关键词: | 相控阵雷达 单刀双掷开关 高电子迁移率晶体管 延迟 延迟线单元 延迟线 应用 串联 申请 偏置电压控制 直流偏置电路 高阻值电阻 紧凑型电路 晶体管栅极 延迟线电路 直流电压源 偏置电路 射频通路 低损耗 砷化镓 衬底 集成电路 参考 | ||
【主权项】:
1.一种基于Ka波段相控阵雷达应用的延迟线电路版图,其特征在于,砷化镓衬底上布置有高电子迁移率晶体管。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州芯智瑞微电子有限公司,未经苏州芯智瑞微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910697557.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。