[发明专利]一种提高抗辐照性能的多结太阳能电池及制作方法在审

专利信息
申请号: 201910697039.6 申请日: 2019-07-30
公开(公告)号: CN110311006A 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 吴真龙;李俊承 申请(专利权)人: 扬州乾照光电有限公司
主分类号: H01L31/0725 分类号: H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/0304;H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 温可睿
地址: 225101*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请提供一种提高抗辐照性能的多结太阳能电池及制作方法,所述多结太阳能电池,至少包括InGaAs子电池和GaInP子电池,其中GaInP子电池为顶电池,InGaAs子电池为中间电池,顶电池背离中间电池的一侧还设置有光导接触层,光导接触层的材质为GaInP或AlGaInP。采用光导接触层代替现有技术中的欧姆接触层,避免欧姆接触层吸收顶电池GaInP和中间电池InGaAs子电池对应的吸收光谱,因此,能够提高顶电池GaInP、特别是中间电池InGaAs子电池的吸光效率。由于InGaAs子电池的吸光效率提高,对应的其光电转换效率有所提高,中间子电池的厚度可以降低,进而提高多结太阳能电池的抗辐照性能。
搜索关键词: 子电池 多结太阳能电池 中间电池 顶电池 抗辐照性能 接触层 光导 欧姆接触层 吸光效率 光电转换效率 中间子电池 吸收光谱 制作 背离 申请 吸收
【主权项】:
1.一种提高抗辐照性能的多结太阳能电池,其特征在于,包括:至少三结子电池,所述三结子电池中至少包括InGaAs子电池,以及GaInP子电池或AlGaInP子电池,所述GaInP子电池或AlGaInP子电池为所述多结太阳能电池的顶电池,所述InGaAs子电池为位于所述多结太阳能电池的底电池和所述顶电池之间的中间电池;位于所述顶电池背离所述底电池一侧的光导接触层;位于所述光导接触层背离所述顶电池一侧的透明电极,所述透明电极为栅线结构,且所述光导接触层和所述透明电极在所述顶电池上的投影重叠;其中,所述光导接触层的材质为GaInP或AlGaInP。
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