[发明专利]形成具有(200)晶体织构的氮化钛膜的方法在审
| 申请号： | 201910682793.2 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110777363A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 坎达巴拉·N·塔皮利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/34;H01L21/285;H01L29/51 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请设计形成具有(200)晶体织构的氮化钛膜的方法，描述了基底加工方法，其用于形成可以用于超导金属化或功函数调整应用的氮化钛材料。所述基底处理方法包括：通过气相沉积在基底上沉积至少一个单层的第一氮化钛膜，以及用等离子体激发的含氢气体处理第一氮化钛膜，其中所述第一氮化钛膜是多晶的并且所述处理使第一氮化钛膜的(200)晶体织构增加。所述方法还包括：通过气相沉积在经处理的至少一个单层的第一氮化钛膜上沉积至少一个单层的第二氮化钛膜，以及用等离子体激发的含氢气体处理至少一个单层的第二氮化钛膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化钛膜 单层 等离子体激发 含氢气体 晶体织构 气相沉积 沉积 氮化钛材料 功函数调整 超导金属 基底处理 基底加工 多晶 基底 申请 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基底处理方法，包括：/n通过气相沉积在基底上沉积至少一个单层的第一氮化钛膜；/n用等离子体激发的含氢气体处理所述第一氮化钛膜，其中所述第一氮化钛膜是多晶的并且所述处理使所述第一氮化钛膜的(200)晶体织构增加；/n通过气相沉积在经处理的至少一个单层的所述第一氮化钛膜上沉积至少一个单层的第二氮化钛膜；以及/n用等离子体激发的含氢气体处理所述至少一个单层的第二氮化钛膜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910682793.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
