[发明专利]采用含氧前驱体化学气相沉积制备稀土硅酸盐陶瓷的方法

摘要

本发明涉及一种采用含氧前驱体化学气相沉积制备稀土硅酸盐陶瓷的方法，采用稀土氧化物作为反应物，以CH3SiCl3作为先驱体、CO2作为氧源，氢气作为载气和稀释气体、氩气作为保护气体，经过化学气相沉积，得到稀土硅酸盐陶瓷。可用于制备稀土硅酸盐陶瓷粉体，也可以用于制备稀土硅酸盐陶瓷涂层，以及稀土硅酸盐陶瓷改性结构陶瓷及陶瓷基复合材料。本发明稀土硅酸盐陶瓷的制备温度低，解决了稀土硅酸盐陶瓷制备温度过高的问题，制备过程操作简单，可重复性强，不会对材料形状造成影响，可工业化生产，为化学气相沉积制备稀土硅酸盐陶瓷以及稀土硅酸盐改性陶瓷基复合材料提供了新方法。

主权项

1.一种采用含氧前驱体化学气相沉积制备稀土硅酸盐陶瓷的方法，其特征在于步骤如下：步骤1、稀土氧化物浆料的制备：将wt70～80％水，wt1～2％聚乙烯醇，wt0.5～1％聚丙烯酸铵，wt1～2％碳酸锂混合后的溶液进行磁力搅拌；加入wt15～25％稀土氧化物，进行球磨得到混合均匀的半致密陶瓷基复合材料浸渍稀土氧化物浆料；所述各组分的重量百分比之和为100％；步骤2、化学气相沉积制备稀土硅酸盐：将半致密陶瓷基复合材料浸渍稀土氧化物浆料120℃；以CH₃SiCl₃作为先驱体、CO₂作为氧源，氢气作为载气和稀释气体、氩气作为保护气体，气体流量比Q(H₂):Q(CH₃SiCl₃)＝6～9，Q(H₂):Q(Ar)＝2～3，Q(H₂):Q(CO₂)＝2～4，其中氩气流量为100～120ml/min，炉内压力保持在2000Pa，沉积温度1050～1200℃，保温时间5～15h，经过化学气相沉积，得到稀土硅酸盐陶瓷。