[发明专利]一种NAND Flash PHY有效
| 申请号： | 201910676720.2 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110399319B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 马勇;陈帮红;何觉;杨波;吴楚怀;唐先芝;谷卫青 | 申请（专利权）人： | 尧云科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人： | 贺珊 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区鱼化街*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种NAND Flash PHY，主要作用于Flash的DDR模式，能够显著提高Flash的接口频率。一种NAND Flash PHY，DQ通过DELAY_DQ送至IDDR GRP；DQS通过DELAY_DQS0送至IDDR GRP；使得DQ在经过DELAY_DQ、DQS经过DELAY_DQS0后产生DQS相对于DQ的90°相位延时；IDDR GRP通过DQS捕获到正确的DQ过后，将DQ及生成的wdata送入到ASYNC FIFO中；另一方面，DELAY_DQS0后还设有二级延时单元DELAY_DQS1，经DELAY_DQS1二次延时后送至ASYNC FIFO作为ASYNC FIFO的wrclk；其中，DELAY_DQS0经DELAY_DQS0为DQS_90°，DELAY_DQS1为DQS_（invert（180°）+180°）。本发明解决了ASIC和FPGA上NAND Flash PHY不能通用的问题；2.解决了FPGA上PHY的性能较低的问题，该PHY能够达到较快的运行频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash phy | ||
【主权项】：
1.一种NAND Flash PHY，其特征在于：结构包括DQ通过DELAY_DQ送至IDDR GRP；DQS通过DELAY_DQS0送至IDDR GRP；使得DQ在经过DELAY_DQ、DQS经过DELAY_DQS0后产生DQS相对于DQ的90°相位延时；IDDR GRP通过DQS捕获到正确的DQ过后，将DQ及生成的wdata送入到ASYNC FIFO中；另一方面，DELAY_DQS0后还设有二级延时单元DELAY_DQS1，经DELAY_DQS1二次延时后送至ASYNC FIFO作为ASYNC FIFO的wrclk；其中，DELAY_DQS0经DELAY_DQS0为DQS_90°，DELAY_DQS1为DQS_（invert（180°）+180°）。
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