[发明专利]一种晶圆结构及其制造方法、芯片结构在审

专利信息
申请号: 201910672977.0 申请日: 2019-07-24
公开(公告)号: CN110364544A 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 张国民 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 党丽
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种晶圆结构及其制造方法,芯片结构,将形成有感光单元阵列的第一芯片以及形成有逻辑器件的第二芯片正面键合,并在第一芯片背面衬垫区设置电连接通孔,该电连接通孔从第一芯片的背面经过第一芯片中的顶层连线层贯穿至第二芯片中的顶层连线层,并在该电连接通孔上设置衬垫,这样,就实现了堆叠式的感光器件的集成,且具有集成度高、结构简单的优点,可以有效提升器件传输效率,降低制造工艺复杂度。
搜索关键词: 芯片 电连 接通 芯片结构 连线层 圆结构 顶层 种晶 感光单元阵列 传输效率 感光器件 逻辑器件 提升器件 芯片背面 芯片正面 制造工艺 集成度 衬垫区 堆叠式 复杂度 键合 制造 背面 贯穿
【主权项】:
1.一种芯片结构,其特征在于,包括:正面相对层叠的第一芯片和第二芯片,所述第一芯片的正面与所述第二芯片的正面之间具有键合层,所述第一芯片包括感光单元阵列区、外围电路区以及衬垫区,所述第一芯片正面的衬垫区及外围电路区上设置有第一互连层,所述第二芯片包括逻辑器件以及与其连接的第二互连层;覆盖所述衬垫区的背面上的第一绝缘层;所述衬垫区的第一电连接通孔,所述第一电连接通孔从所述第一绝缘层经所述第一互连层的顶层连线层贯穿至所述第二互连层的顶层连线层;所述第一电连接通孔上的衬垫。
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