[发明专利]用于处理基板的设备和方法有效
| 申请号： | 201910665820.5 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110767574B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 郑镇优;李暎熏;李龙熙;林义相 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 钟锦舜;王丽 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于处理基板的设备，包括：腔室，所述腔室具有处理空间，在该处理空间中执行处理基板的过程；以及流体供应单元，所述流体供应单元将处理流体供应到所述腔室中。所述流体供应单元包括：供应管线；至少一个孔口，所述至少一个孔口设置在所述供应管线中；以及第一加热器，所述第一加热器设置在所述孔口上或所述孔口的上游。所述第一加热器将穿过所述孔口的所述处理流体加热到设定温度或更高温度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：/n腔室，所述腔室具有处理空间，在所述处理空间中执行处理所述基板的过程；以及/n流体供应单元，所述流体供应单元被配置成将处理流体供应到所述腔室中，/n其中所述流体供应单元包括：/n供应管线；/n至少一个孔口，所述至少一个孔口设置在所述供应管线中；以及/n第一加热器，所述第一加热器设置在所述孔口上或所述孔口的上游，并且/n其中所述第一加热器将穿过所述孔口的所述处理流体加热到设定温度或更高温度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
