[发明专利]用于处理基板的设备和方法

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：

腔室，所述腔室具有处理空间，在所述处理空间中执行处理所述基板的过程；以及

流体供应单元，所述流体供应单元被配置成将处理流体供应到所述腔室中，

其中所述流体供应单元包括：

供应管线；

至少一个孔口，所述至少一个孔口设置在所述供应管线中；以及

第一加热器，所述第一加热器设置在所述孔口上或所述孔口的上游，并且

其中所述第一加热器将穿过所述孔口的所述处理流体加热到设定温度或更高温度。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述处理流体在所述孔口的下游绝热膨胀，并且

其中所述设定温度是使得在穿过所述孔口之后绝热膨胀的所述处理流体的温度保持在临界温度或更高温度的温度。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述供应管线包括：

孔口区域，在所述孔口区域中设置有所述孔口；

前孔口区域，所述前孔口区域在所述孔口区域上游；以及

后孔口区域，所述后孔口区域在所述孔口区域下游，

其中所述处理流体在顺序地穿过所述前孔口区域、所述孔口区域和所述后孔口区域时在温度-压力相图中形成至少一个转折点，并且

其中所述转折点在高于所述处理流体的临界温度的温度下形成。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述设定温度是使得穿过所述孔口的所述处理流体变成气态或超临界状态以经历两相相变或更少相变的温度。

5.根据权利要求1所述的设备，还包括：

第二加热器，所述第二加热器设置在所述孔口下游。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述处理流体是二氧化碳。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述过程是通过使用处于超临界状态的所述处理流体来处理所述基板的方法。

8.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：

通过将超临界流体分配到所述基板上来执行处理所述基板的过程，

其中处理流体在被分配到所述基板上之前流过孔口，并且

其中所述处理流体在穿过所述孔口之前被加热到设定温度或更高温度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述处理流体的温度在所述孔口的下游降低，并且

其中所述设定温度是使得所述降低的温度保持在临界温度或更高温度的温度。

10.根据权利要求8所述的方法，其中被配置成供应所述处理流体的供应管线包括：

孔口区域，在所述孔口区域中设置有所述孔口；

前孔口区域，所述前孔口区域在所述孔口区域上游；以及

后孔口区域，所述后孔口区域在所述孔口区域下游，

其中所述处理流体在顺序地穿过所述前孔口区域、所述孔口区域和所述后孔口区域时在温度-压力相图中形成至少一个转折点，并且

其中所述转折点在高于所述处理流体的临界温度的温度下形成。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述过程是干燥所述基板的过程。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述处理流体是二氧化碳。