[发明专利]衬底集成波导及其制造方法以及无线通信设备在审
| 申请号： | 201910664280.9 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110783683A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 申起领 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;H01P3/12;H01P7/06 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨雅;王琳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开题为“衬底集成波导及其制造方法以及无线通信设备”。公开了一种用于制造用于毫米波信号的衬底集成波导的方法。在该方法中，使用剥离工艺将金层设置在硅衬底的顶表面上。接下来，使用硅通孔蚀刻工艺在硅衬底中形成基本上相等间隔的通孔的两个平行行。然后，在硅衬底的底侧上和每个通孔的内表面上设置铜层。位于铜层与金层之间的间隔部限定衬底集成波导的高度，而位于基本上相等间隔的通孔的两个平行行之间的间隔部限定衬底集成波导的宽度。在一些实施方式中，衬底的长度限定衬底集成波导的长度，并且长度、宽度和高度限定以毫米波频率谐振的谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 集成波导 硅衬底 通孔 间隔部 金层 铜层 相等 平行 无线通信设备 毫米波频率 毫米波信号 谐振 剥离工艺 长度限定 蚀刻工艺 顶表面 硅通孔 内表面 谐振器 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造衬底集成波导的方法，所述方法包括：/n使用剥离工艺在硅衬底的顶表面上设置金层；/n使用硅通孔蚀刻工艺在所述硅衬底中形成基本上相等间隔的通孔；以及/n在所述硅衬底的底表面上和每个通孔的内表面上设置铜层，其中，位于所述铜层与所述金层之间的间隔部限定用于毫米波信号的衬底集成波导的高度，并且其中，所述基本上相等间隔的通孔包括布置在第一对平行行中的通孔，所述第一对具有限定用于所述毫米波信号的所述衬底集成波导的宽度的间隔部。/n
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