[发明专利]铋基卤化物陶瓷材料、制备方法及X射线探测器在审
| 申请号： | 201910658874.9 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110330335A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张文华;郑霄家;帖舒婕;赵伟;龙继东 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
| 主分类号： | C04B35/515 | 分类号： | C04B35/515;C04B35/622;G01T1/16 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 刘渝 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了铋基卤化物陶瓷材料、制备方法及X射线探测器，所述X射线探测器，由铋基卤化物陶瓷及其两端的电极组成，所述铋基卤化物陶瓷为铋基卤化物陶瓷材料用压片法制备的陶瓷片，其两端蒸镀金属电极。本发明提供了的铋基卤化物陶瓷材料，不仅易于制备，环境友好，稳定性高，电阻率大，而且所制备的X射线探测器耐高压能力强，耐辐照性能好，对X射线响应灵敏，探测下限低。 | ||
| 搜索关键词： | 卤化物 铋基 陶瓷材料 制备 陶瓷 耐高压能力 电极组成 环境友好 金属电极 探测下限 响应灵敏 电阻率 耐辐照 陶瓷片 压片 蒸镀 | ||
【主权项】：
1.铋基卤化物陶瓷材料，其特征在于，分子式为R3Bi2X9，其中的(Bi2X9)3‑单元被有机离子R+包围形成三维空间内点状不连续分布；其中，X离子为卤素、拟卤素离子中的一种或者多种；有机离子R为CnH2n+1NH3+(1≤n≤5)、CnH2n+1C(＝NH)NH2+(0≤n≤5)、C6H5CnH2n+1NH3+(1≤n≤4)、C6H5CnH2n+1C(＝NH)NH2+(0≤n≤4)中的一种或者多种。
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