[发明专利]具有垂直栅极结构的存储装置有效
| 申请号： | 201910654285.3 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN111799277B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/40 | 分类号： | H10B43/40;H10B43/27;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储装置，包含基板上的绝缘层上方的多个位线叠层与多个垂直栅极结构，位线叠层与多个绝缘条带交错，垂直栅极结构设置于位线叠层之间。垂直通道结构与存储器元件设置于垂直栅极结构的外表面与位线叠层中的绝缘条带的侧壁之间。垂直通道结构提供介于位线叠层中的相邻位线之间的通道。多个字线晶体管分别设置于多个垂直栅极结构上方且连接至多个垂直栅极结构。多条字线设置于多个字线晶体管上方且连接至多个字线晶体管。存储装置包含连接至位线的电路，以施加位线电压与源极线电压于位线。该存储装置具有更高的密度、随机存取性质以及更高的运作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 栅极 结构 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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